[发明专利]半导体工艺设备及清洗方法

权利要求书

1.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括：

工艺槽（100）；

喷淋部（200），所述喷淋部（200）用于向所述工艺槽（100）内喷淋第一预设温度的清洗液，所述第一预设温度与所述工艺槽（100）的温度的温度差小于或等于第一预设阈值；随着清洗的进行，所述工艺槽（100）的温度也在降低，喷淋的清洗液的温度也随之降低，其温度差依然在所述第一预设阈值内；

注液管（300），所述注液管（300）与所述工艺槽（100）相连通，所述注液管（300）用于在所述喷淋部（200）对所述工艺槽（100）降温后，向所述工艺槽（100）内注入第二预设温度的清洗液，所述第二预设温度与所述工艺槽（100）的温度的温度差小于或等于第二预设阈值。

2.根据权利要求1所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述半导体工艺设备还包括盖板（110），所述盖板（110）设置于所述工艺槽（100）的槽口，且可用于封盖所述槽口，所述盖板（110）与所述工艺槽（100）铰接，所述喷淋部（200）设置于所述盖板（110）朝向所述槽口的一侧的表面。

3.根据权利要求2所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述喷淋部（200）包括管路（210）和多个喷头（220），所述管路（210）设置于所述盖板（110）朝向所述槽口的一侧的表面，所述多个喷头（220）间隔设置于所述管路（210）上，且与所述管路（210）相连通。

4.根据权利要求3所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述管路（210）的数量为多个，多个所述管路（210）间隔设置，每个所述管路（210）上均设置有多个所述喷头（220）。

5.根据权利要求3所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述喷头（220）的喷射角度大于或等于30°，小于或等于60°。

6.根据权利要求1所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述工艺槽（100）包括工艺内槽（101）和工艺外槽（102），所述工艺内槽（101）和所述工艺外槽（102）相连通，所述喷淋部（200）用于向所述工艺内槽（101）和所述工艺外槽（102）均喷淋所述清洗液，所述注液管（300）与所述工艺内槽（101）相连通；

所述喷淋部（200）还用于向所述工艺内槽（101）和所述工艺外槽（102）通入预设流量的吹扫气体。

7.一种清洗方法，其特征在于，权利要求1至6中任一项所述的半导体工艺设备采用所述清洗方法清洗，所述清洗方法包括：

S100、排出所述工艺槽（100）内的工艺药液；

S200、开启所述喷淋部（200），以使所述喷淋部（200）向所述工艺槽（100）内喷淋第一预设温度的清洗液，所述第一预设温度与所述工艺槽（100）的温度的温度差小于或等于第一预设阈值；

S300、开启所述注液管（300），以使所述注液管（300）向所述工艺槽（100）内注入第二预设温度的清洗液，所述第二预设温度与所述工艺槽（100）的温度的温度差小于或等于第二预设阈值。

8.根据权利要求7所述的清洗方法，其特征在于，在所述步骤S200中，包括：

S210、所述喷淋部（200）通入第一预设时长的热清洗液；

S220、所述喷淋部（200）同时通入第二预设时长的所述热清洗液和冷清洗液；

S230、所述喷淋部（200）通入所述冷清洗液，停止通入所述热清洗液。

9.根据权利要求8所述的清洗方法，其特征在于，在所述步骤S230后还包括：

S240、所述喷淋部（200）停止通入所述冷清洗液，所述喷淋部（200）通入高流量的吹扫气体，用于吹扫所述喷淋部（200）的残留清洗液。

10.根据权利要求9所述的清洗方法，其特征在于，在所述步骤S300中还包括在所述工艺槽（100）内的清洗液到达指定液位后，所述喷淋部（200）通入低流量的所述吹扫气体，以保持所述工艺槽（100）内的压强稳定。