[发明专利]封装结构以及其制作方法

说明书

一种封装结构包括电路衬底、半导体封装、热界面材料、盖结构及散热结构。所述半导体封装设置在所述电路衬底上且电连接到所述电路衬底。所述热界面材料设置在所述半导体封装上。所述盖结构设置在所述电路衬底上且环绕所述半导体封装，其中所述盖结构包括局部地覆盖所述热界面材料且与所述热界面材料物理接触的支撑部。所述散热结构设置在所述盖结构上且与所述盖结构的所述支撑部物理接触。

技术领域

本公开实施例是有关一种封装结构及制作所述封装结构的方法。

背景技术

在各种电子应用(例如，手机及其他移动电子设备)中使用的半导体器件及集成电路通常制造在单个半导体晶片上。晶片的管芯可与其他半导体器件或管芯一起以晶片层级进行处理及封装，且已经开发出用于晶片层级封装的各种技术。

发明内容

本公开实施例提供一种封装结构包括电路衬底、半导体封装、热界面材料、盖结构以及散热结构。所述半导体封装设置在所述电路衬底上且电连接到所述电路衬底。所述热界面材料设置在所述半导体封装上。所述盖结构设置在所述电路衬底上且环绕所述半导体封装，其中所述盖结构包括局部地覆盖所述热界面材料且与所述热界面材料物理接触的支撑部。所述散热结构设置在所述盖结构上且与所述盖结构的所述支撑部物理接触。

本公开实施例提供一种封装结构包括电路衬底、中介层结构、多个半导体管芯、绝缘包封体、盖结构以及散热结构。所述中介层结构设置在所述电路衬底上且电连接到所述电路衬底。所述半导体管芯设置在所述中介层结构的第一表面上且电连接到所述中介层结构。所述绝缘包封体设置在所述中介层结构的所述第一表面上且环绕所述半导体管芯。所述盖结构设置在所述电路衬底上且环绕所述中介层结构及所述半导体管芯，其中所述盖结构包括与所述半导体管芯局部地交叠的第一开口。所述散热结构设置在所述盖结构上，其中所述散热结构包括填充到所述盖结构的所述第一开口中的突出部分。

本公开实施例提供一种封装结构包括电路衬底、中介层结构、多个第一半导体管芯、多个第二半导体管芯、盖结构以及散热结构。所述中介层结构设置在所述电路衬底上。所述第一半导体管芯设置在所述中介层结构的中心区之上。所述第二半导体管芯设置在所述中介层结构的外围区之上，且在所述第一半导体管芯旁边。所述盖结构设置在所述电路衬底上且环绕所述中介层结构、所述第一半导体管芯及所述第二半导体管芯，其中所述盖结构包括在显露出所述中介层结构的所述中心区的同时覆盖所述外围区的支撑部。所述散热结构设置在所述盖结构上，其中所述散热结构包括由所述盖结构的所述支撑部环绕的突出部分，且所述突出部分的顶表面的面积实质上对应于由位于所述中介层结构的所述中心区之上的所述第一半导体管芯所占用的面积。

附图说明

参照附图阅读以下详细说明，会最好地理解本公开的各个方面。应注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，为使论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的临界尺寸。

图1A到图1I是根据本公开一些示例性实施例的制作半导体封装的方法中的各种阶段的示意性俯视图及剖视图。

图2是根据本公开一些其他示例性实施例的半导体封装的示意性剖视图。

图3到图5B是根据本公开一些示例性实施例的制作封装结构的方法中的各种阶段的示意性俯视图、剖视图及三维图。

图6到图8B是根据本公开一些示例性实施例的制作封装结构的方法中的各种阶段的示意性俯视图、剖视图及三维图。

图9A到图10B是根据本公开一些示例性实施例的制作封装结构的方法中的各种阶段的示意性剖视图及三维图。

图11是根据本公开一些其他示例性实施例的封装结构的示意性剖视图。

图12A是根据本公开一些其他示例性实施例的封装结构的示意性剖视图。

图12B是图12A所示封装结构中的热界面材料的俯视图。