[发明专利]基于单层石墨烯辅助超材料的宽带微波吸收器在审
申请号: | 202111021047.2 | 申请日: | 2021-09-01 |
公开(公告)号: | CN113764897A | 公开(公告)日: | 2021-12-07 |
发明(设计)人: | 严德贤;封覃银;李向军 | 申请(专利权)人: | 中国计量大学 |
主分类号: | H01Q15/00 | 分类号: | H01Q15/00;H01Q17/00 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 傅朝栋;张法高 |
地址: | 310018 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 单层 石墨 辅助 材料 宽带 微波 吸收 | ||
1.一种基于单层石墨烯辅助超材料的宽带微波吸收器,其特征在于,该吸收器由单元结构在平面上按阵列形式连续拼接而成;每个所述单元结构由不同的功能层叠加组成,从上到下依次是顶层石墨烯层(1)、FR4介质层(2)和金属衬底(3);所述顶层石墨烯层(1)为图案化的圆形单层石墨烯,FR4介质层(2)和金属衬底(3)的任意位置横截面均为相同尺寸的正方形,所述的顶层石墨烯层(1)贴附于FR4介质层(2)上表面的中心,所述金属衬底(3)贴附于FR4介质层(2)的下表面。
2.根据权利要求1所述的一种基于单层石墨烯辅助超材料的宽带微波吸收器,其特征在于,所述顶层石墨烯层(1)的圆形图案中心带有方孔,圆半径为1.25mm,中心的方孔边长为0.7mm,方孔的偏转角度为45°。
3.根据权利要求1所述的一种基于单层石墨烯辅助超材料的宽带微波吸收器,其特征在于,所述顶层石墨烯层(1)通过外加电场、磁场或使用掺杂的方式改变费米能级。
4.根据权利要求1所述的一种基于单层石墨烯辅助超材料的宽带微波吸收器,其特征在于,所述FR4介质层(2)的材料为FR4,其厚度为0.4~1.2mm,相对介电常数为4.3,损耗切线为0.025。
5.根据权利要求1所述的一种基于单层石墨烯辅助超材料的宽带微波吸收器,其特征在于,所述金属衬底(3)的材料为金、银、铜、铁或铝,厚度为0.1~0.5μm,且厚度应大于电磁波的趋肤深度。
6.根据权利要求1所述的一种基于单层石墨烯辅助超材料的宽带微波吸收器,其特征在于,所述单元结构的平面轮廓呈正方形,边长为2.5mm。
7.根据权利要求1所述的一种基于单层石墨烯辅助超材料的宽带微波吸收器,其特征在于,所述单元结构按阵列形式连续拼接成长方形或者正方形。
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