[发明专利]一种箔材延伸率尺寸效应的分析方法

说明书

本发明公开了一种箔材延伸率尺寸效应的分析方法，以解决现有方法分析箔材延伸率尺寸效应时出现的误差率高的问题。本发明的方法包含以下步骤：步骤一：确定箔材的晶体结构类型；步骤二：分析确定集中变形区形成的时间；步骤三：分析确定箔材的主宰变形量；步骤四：根据t/d值确定箔材延伸率的大小。本发明适应于厚度小于100μm的金属箔材的延伸率尺寸效应的精确分析，指导选取高塑性的箔材，大幅提高大比表面积箔材成形件的成品率。

技术领域

本发明是关于大比表面积类微型零件的先进制造技术，特别是关于一种箔材延伸率尺寸效应的分析方法。

背景技术

随着机械装备微型化趋势的加剧，对于微细零件的功能集成化要求越来越高。在众多微细零件制造工艺中，箔材成形工艺因具有生产效率高、材料利用率高等优势而获得了关注，特别适合于燃料电池板、波纹板等大比表面积类微型零件的精密制造。然而，目前利用箔材成形工艺制造大比表面积类零件时废品率较高。主要原因是现有方法在分析箔材延伸率的尺寸效应时误差率较高，导致实际生产时不能利用箔材的最佳塑性状态，严重制约了箔材成形工艺的应用与发展。

公开于该背景技术部分的信息仅仅旨在增加对本发明的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。

发明内容

本发明的目的在于提供一种箔材延伸率尺寸效应的分析方法，其能够将晶体结构类型和个体晶粒异质性的影响引入到分析方法中，实现金属箔材延伸率尺寸效应的高精度分析，选取高塑性的箔材。

为实现上述目的，本发明的实施例提供了一种箔材延伸率尺寸效应的分析方法，其特征在于，包含以下步骤：

步骤一：确定箔材的晶体结构类型；

步骤二：分析确定集中变形区形成的时间；

步骤三：分析确定箔材的主宰变形量；

步骤四：根据t/d值确定箔材延伸率的大小。

在本发明的一个或多个实施方式中，所述步骤一中，箔材的晶体结构类型是密排六方晶格，或面心立方晶格。

在本发明的一个或多个实施方式中，所述步骤二中，密排六方晶格箔材集中变形区形成时间早，面心立方晶格箔材集中变形区形成时间晚。

在本发明的一个或多个实施方式中，所述步骤三中，密排六方晶格箔材的主宰变形量为集中变形量，面心立方晶格箔材的主宰变形量为均匀变形量。

在本发明的一个或多个实施方式中，所述步骤四中，密排六方晶格箔材的t/d值越小且个体晶粒尺寸越大，则集中变形量越大，箔材延伸率越大；面心立方晶格箔材为t/d值越大，则均匀变形量越大，箔材延伸率越大。

与现有技术相比，根据本发明实施方式的1.步骤一中，将箔材晶体结构类型细分为密排六方晶体结构和面心立方晶体结构，考虑了由位错滑移难易程度所导致的易变形区形成时间早晚的问题；2.步骤三中，以易变形区的形成为界，将箔材的变形细分为整体变形量部分和集中变形量部分，考虑了不同晶体结构类型的箔材在不同变形阶段具有不同的变形量的问题；3.以t/d值为变量，考虑了个体晶粒异质性对集中变形量的影响；利用本发明的方法，能够综合考虑影响箔材延伸率的所有因素，实现箔材延伸率尺寸效应的精确分析，发挥箔材的最佳塑性状态，大幅提高大比表面积箔材成形件的成品率。

附图说明

图1是根据本发明一实施方式的一种箔材延伸率尺寸效应的分析方法的流程图；

具体实施方式

下面结合附图，对本发明的具体实施方式进行详细描述，但应当理解本发明的保护范围并不受具体实施方式的限制。