[发明专利]一种超薄晶圆正面切割工艺

权利要求书

1.一种超薄晶圆正面切割工艺，其特征在于，包括以下步骤：

S1、先完成晶圆高温制程，再将晶圆正面与玻璃载板键合，然后做背面晶圆制程；

S2、将晶圆背面与玻璃载板键合，然后将正面玻璃载板解键合，除去粘着层；

S3、完成正面晶圆制程；

S4、通过电浆蚀刻晶圆正面，利用金属和Si的蚀刻速率不同，蚀刻除去切割道处的Si直至背面金属处；

S5、于晶圆正面进行激光切割，将背面金属切断；

S6、将切割后的晶圆放置在UV模框上，激光穿透玻璃载板使释放剂分解玻璃载板与黏着剂之间的粘性，移除玻璃载板，清洗除去黏着层，完成晶圆切割。

2.根据权利要求1所述的超薄晶圆正面切割工艺，其特征在于，所述步骤S1中背面晶圆制程包括黄光制程、离子植入制程和金属制程。

3.根据权利要求1所述的超薄晶圆正面切割工艺，其特征在于，所述步骤S3中正面晶圆制程包括黄光制程、ILD制程、离子植入制程、金属制程和蚀刻制程。

4.根据权利要求1所述的超薄晶圆正面切割工艺，其特征在于，所述步骤S3中在晶圆正面LID制程中做接通孔开窗时同时除去切割道处介质层，在晶圆正面金属制程中做金属图案时同时除去切割道处金属层，保证切割道处的晶圆始终裸露。

5.根据权利要求1所述的超薄晶圆正面切割工艺，其特征在于，所述步骤S4中电浆对Si与金属或Si与绝缘层的蚀刻选择比均大于100：1，所述电浆为SF₆电浆或CF₄电浆。

6.根据权利要求1所述的超薄晶圆正面切割工艺，其特征在于，所述步骤S5中激光切割沿步骤S4蚀刻的出的通道对背面金属进行切断。