[发明专利]一种形成IGBT场截止埋层的制备方法在审
| 申请号： | 202111022267.7 | 申请日： | 2021-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN113745317A | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 周倩 | 申请（专利权）人： | 上海菱芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/331;H01L29/739 |
| 代理公司： | 扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙) 32283 | 代理人： | 郭翔 |
| 地址： | 201210 上海市中国（上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 形成 igbt 截止 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种形成IGBT场截止埋层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
1）选用FZ硅片作为N型衬底；
2）去除N型衬底表面氧化层，在所述N型衬底的正面注入N型杂质并高温推结外延生长形成N型场截止埋层；
3）在所述N型衬底的背面进行减薄处理；
4）在所述N型场截止埋层上进行外延层生长；
5）翻转所述N型衬底，在其背面进行后续常规正面工艺，栅极的生长与刻蚀，P型井和重掺杂的N型区的注入和激活，层间隔离层形成与刻蚀，以及发射极金属层的形成；
6）将所述外延层全部去除；
7）在所述N型场截止埋层上进行P型收集极的注入、激活和背面金属化。
2.根据权利要求1所述的一种形成IGBT场截止埋层的制备方法，其特征在于，步骤2）中所述N型场截止埋层形成的厚度为5um～25um。
3.根据权利要求1所述的一种形成IGBT场截止埋层的制备方法，其特征在于，步骤2）中所述N型衬底注入N型杂质为磷或砷。
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