[发明专利]一种基于5G基站用的电磁屏蔽材料的生产工艺

权利要求书

1.一 种基于5G基站用的电磁屏蔽材料的生产工艺，其特征在于，包括以下步骤：

SS001、金属基材的准备、预备待加工的金属基材，采用超声波清洗设备对上述金属基材进行超声波清洗，超声波清洗完成后，采用超声设备对上述金属基材进行烘干处理；

SS002、导热和导电层的附加、将上述SS001步骤中烘干完毕后的金属基材在真空镀膜室中依次进行离子清洗、氮化铝陶瓷导热涂层沉积、类金刚石薄膜涂层沉积和Cu导电涂层沉积，上述步骤加工完毕后的基材即为预处理完毕后的基材；

SS003、基材的再处理、将SS002步骤中预处理完毕后基材以设定规格参数进行冲切，其中冲切时的板材规格应与基站规格适配，冲切完成后，采用冲压和模压工序，将冲切完毕的基材冲压为设定形状或设定规格，从而与基站形状适配；

SS004、电磁屏蔽膜的制备、选取适量非晶态纤维和适量针状铝进行混合，其中非晶态纤维和针状铝的配比量为2：1；将上述两者置入混合机，预混完毕后，向混合机中添加聚苯胺导电粘结剂，混合成浆料，浆料混合完毕后，将上述浆料置入75℃-95℃的真空干燥箱中干燥10h-15h；干燥完毕后，向干燥完毕后的物料中加入聚酰胺-6、聚丙烯和聚碳酸酯，其中聚酰胺-6质量、聚丙烯质量和聚碳酸酯质量与干燥完毕后物料总质量的配比为1：2：1：20；将上述配比后的混合物料置入密炼机中密炼2h-4h，密炼完后，将上述混合物混炼，混炼完成后，混炼完毕后，将混炼完毕后的物料进行压延，压延完成后，即制得非晶态电磁屏蔽膜；所述非晶态纤维为非晶态钴基纤维或非晶态铁基纤维；

SS005、复合、将SS004步骤中加工完毕后的非晶态电磁屏蔽膜裁切为设定形状并通过粘接剂复合于SS003步骤中再处理完毕后的基材上；

SS006、电解电镀处理、采用电解电镀法将Ni或Cu电镀到复合后的电磁屏蔽膜表面；

SS007、绝缘保护层的建立、SS006步骤完毕后，采用辊式涂布法在电镀后的电磁膜表面涂布一层热塑性树脂，涂布完毕后，再在热塑性树脂表面涂布一层可硬化的绝缘油墨，固化完毕后，即完成绝缘层的建立，其中热塑性树脂层的厚度为2μm-20μm；绝缘油墨层的厚度范围为1μm-10μm，绝缘层建立完毕后，即制得复合电磁屏蔽基板；

SS008、后处理、采用激光切割工艺将复合后的电磁屏蔽基板加工成设定尺寸以便后处理。

2.根据权利要求1所述的一种基于5G基站用的电磁屏蔽材料的生产工艺，其特征在于，所述SS002步骤中离子清洗时应将SS001步骤中烘干处理完毕后的基材置于真空镀膜室中，基材置入后，将真空镀膜室的气压抽至设定压力值，冲压完毕后，向真空镀膜室内冲入浓度为99.9%的氩气作为保护；氩气冲入完毕后，开启高频脉冲电源，离子清洗时间为20min-30min；其中高频脉冲电源的工艺参数设定如下：电压范围为2kV-4kV，频率为40kHz-60kHz，占空比为50%-99%。

3.根据权利要求1所述的一种基于5G基站用的电磁屏蔽材料的生产工艺，其特征在于，所述SS002步骤中氮化铝陶瓷导热涂层沉积时，真空镀膜室的参数设定如下：气压抽至设定压力值，沉积时，向真空镀膜室内冲入浓度为99.9%的氩气作为保护，开启高频脉冲电源和中频溅射电源；其中高频脉冲电源的工艺参数设定如下：电压范围为20V-70V，频率为40kHz-60kHz，占空比为50%-99%，沉积时间为4h-5h；所述氮化铝陶瓷导热涂层的厚度范围为20μm-45μm。

4.根据权利要求1所述的一种基于5G基站用的电磁屏蔽材料的生产工艺，其特征在于，所述SS002步骤的类金刚石薄膜涂层沉积工序中，真空镀膜室的工艺参数设定如下，电源采用高频脉冲偏压电源，电压1kV-4kV，频率为40kHz-60kHz，占空比为50%-99%，类金刚石薄膜涂层的厚度范围为1μm-5μm。