[发明专利]静电卡盘组合件及其制备方法在审
申请号: | 202111026047.1 | 申请日: | 2021-09-02 |
公开(公告)号: | CN114203613A | 公开(公告)日: | 2022-03-18 |
发明(设计)人: | 刘研;S·唐奈;J·莱辛斯基;陈俊泓;C·明斯基 | 申请(专利权)人: | 恩特格里斯公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 李婷 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 静电 卡盘 组合 及其 制备 方法 | ||
1.一种包括晶片支撑表面的静电卡盘组合件,所述静电卡盘组合件包括陶瓷层,在所述陶瓷层的上部表面处具有至少一个凸起,所述凸起包括包含至少两个经沉积基于硅的材料层及至少两个类金刚石碳层的多个层。
2.根据权利要求1所述的组合件,其中所述凸起包括总共至少6个层,所述总共6个层包含至少3个经沉积基于硅的材料层及至少3个类金刚石碳层,每一碳化硅层及每一类金刚石碳层具有在从0.5微米到约3微米的范围中的厚度。
3.根据权利要求1或2所述的组合件,其中所述凸起的顶部层是类金刚石碳层。
4.根据权利要求1或2所述的组合件,其中所述经沉积基于硅的材料选自氮化硅(SiN)、碳化硅(SiC)、氧化硅(例如,二氧化硅SiO2)及氮氧化硅(SiON)。
5.根据权利要求1或2所述的组合件,其中所述凸起由所述经沉积基于硅的材料与类金刚石碳的交替层组成。
6.根据权利要求1或2所述的组合件,其中所述凸起覆盖等于所述上部表面的总面积的1%到10%的面积。
7.根据权利要求1或2所述的组合件,其进一步包括多个凸起,每一凸起由总共4个到100个的碳化硅层及类金刚石碳层组成,其中所述凸起覆盖等于所述上部表面的总面积的1%到10%的面积。
8.一种制备静电卡盘组合件的方法,所述静电卡盘组合件包括陶瓷层,在所述陶瓷层的上部表面处具有至少一个凸起,所述凸起包括包含至少两个经沉积基于硅的材料层及至少两个类金刚石碳层的多个层,所述方法包括通过沉积方法将所述凸起沉积到所述上部表面上。
9.根据权利要求8所述的方法,其进一步包括通过对所述凸起进行图案涂覆以覆盖等于所述上部表面的总面积的1%到10%的面积的方法来沉积所述凸起。
10.根据权利要求8或9所述的方法,其进一步包括将多个凸起沉积在所述表面上,每一凸起由总共4个到100个的碳化硅层及类金刚石碳层组成,其中所述凸起覆盖等于所述上部表面的总面积的1%到10%的面积。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造