[发明专利]半导体装置和相关方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

衬底，其包括：

第一衬底侧面，

与所述第一衬底侧面相对的第二衬底侧面，

衬底外侧壁，其在所述第一衬底侧面与所述第二衬底侧面之间，及

衬底内侧壁，其在所述第一衬底侧面与所述第二衬底侧面之间限定空腔；装置堆叠，其在所述空腔中且包括：

第一电子装置；及

第二电子装置，其堆叠于所述第一电子装置上；

第一内部互连件，其耦合到所述衬底和所述装置堆叠；及

包封体，其覆盖所述衬底内侧壁和所述装置堆叠且填充所述空腔。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

所述衬底还包括邻近所述衬底的第一边缘的衬底搁架；

所述衬底搁架在所述第一衬底侧面处包括内部端子；且

所述包封体覆盖所述第一衬底侧面，但使所述衬底搁架和所述内部端子暴露。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：

所述包封体在与所述衬底搁架的界面处包括凹陷的侧壁；且

所述凹陷的侧壁倾斜成与所述第一衬底侧面成锐角。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，进一步包括：

竖直互连件，其在所述第一衬底侧面上耦合到第一内部端子；

其中所述竖直互连件延伸通过所述包封体且在所述包封体的顶侧处暴露。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

所述装置堆叠的至少一侧不由所述衬底限界。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，进一步包括：

堆叠盖，其在所述装置堆叠的顶侧上；

其中：

所述堆叠盖包括盖热膨胀系数；

所述装置堆叠包括装置热膨胀系数；

所述包封体包括包封体热膨胀系数；且

所述盖热膨胀系数与所述装置热膨胀系数的差值小于与所述包封体热膨胀系数的差值。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于：

所述盖热膨胀系数与所述装置热膨胀系数基本上相同。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，进一步包括：

堆叠盖，其在所述装置堆叠的顶侧上；

其中：

所述堆叠盖在所述包封体的顶侧处暴露；且

所述装置堆叠在所述包封体的底侧处暴露。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括：

第一外部互连件；及

第二外部互连件；

其中：

所述衬底包括邻近所述衬底的第一边缘的衬底第一搁架，及在所述第一搁架下方在所述第二衬底侧面处的第一外部端子；

所述衬底包括邻近所述衬底的第二边缘的衬底第二搁架，及在所述第二搁架下方在所述第二衬底侧面处的第二外部端子；

所述包封体覆盖所述第一衬底侧面，但使所述衬底第一搁架和所述衬底第二搁架暴露；

所述第一外部互连件在所述包封体的覆盖区外部在所述第一搁架下方耦合到所述第一外部端子；且

所述第二外部互连件在所述包封体的所述覆盖区外部在所述第二搁架下方耦合到所述第二外部端子。