[发明专利]一种异质衬底薄膜转移对准方法

权利要求书

1.一种异质衬底薄膜转移对准方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）在目标衬底正面完成器件电路的制备和对准标记A阵列的制备；

（2）在目标衬底背面，通过双面套刻完成对准标记B阵列的制备，其中对准标记B与对准标记A相互匹配；

（3）将待转移薄膜材料从原始衬底剥离转移到目标衬底正面；

（4）在转移至目标衬底上的薄膜材料正面，利用目标衬底背面的对准标记B，通过双面套刻，定位出目标衬底正面的对准标记A位置，并刻蚀掉该位置的薄膜材料，暴露出对准标记A阵列；

（5）利用对准标记A阵列，通过标准微电子工艺进行半导体器件流片以及与目标衬底器件结构的异质互连。

2.根据权利要求1所述异质衬底薄膜转移对准方法，其特征在于，所述目标衬底的材质包括但不限于InP、GaAs、GaN、Si、SiC或金刚石。

3.根据权利要求1所述异质衬底薄膜转移对准方法，其特征在于，其特征在于，所述目标衬底采用标准晶圆或者长度不超过5cm的小片。

4.根据权利要求1所述异质衬底薄膜转移对准方法，其特征在于，在目标衬底正面制备的器件电路包括Si CMOS、Si PIN、Si BJT、InP HBT、GaAs HBT、GaN HEMT、SiC MOS、Ga₂O₃MOS和LiNbO₃ SAW中的一种及其相应的匹配传输电路。

5.根据权利要求1所述异质衬底薄膜转移对准方法，其特征在于，在目标衬底正面制备的器件电路的最小重复单元尺寸范围为100μm到20000μm。

6.根据权利要求5所述异质衬底薄膜转移对准方法，其特征在于，对准标记A的形状为条形、十字形或米字形，尺寸范围为50μm×50μm至1000μm×1000μm，对准标记A阵列的间距在目标衬底正面制备的器件电路的最小重复单元的尺寸相同。

7.根据权利要求1所述异质衬底薄膜转移对准方法，其特征在于，对准标记B的形状为条形、十字形或米字形，尺寸范围为50μm×50μm至1000μm×1000μm，对准标记B阵列的间距与对准标记A阵列的间距一致。

8.根据权利要求1所述异质衬底薄膜转移对准方法，其特征在于，所述待转移薄膜材料包括但不限于Si、InP、GaAs、GaN、SiC、Ga₂O₃或LiNbO₃。

9.根据权利要求1所述异质衬底薄膜转移对准方法，其特征在于，转移后的薄膜材料的厚度范围为50nm至20μm。

10.根据权利要求1所述异质衬底薄膜转移对准方法，其特征在于，将待转移薄膜材料从原始衬底剥离转移到目标衬底正面的方式包括先剥离再键合的方式以及先键合再剥离的方式。