[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底包括隔离区；

位于所述隔离区上的底层电极板，所述底层电极板在所述隔离区表面上具有第一投影图形；

位于所述底层电极板上的第一绝缘层；

位于所述第一绝缘层上的中层电极板，所述中层电极板在所述隔离区表面上具有第二投影图形，所述第一投影图形在所述第二投影图形的范围内；

位于所述中层电极板上的第二绝缘层；

位于所述第二绝缘层上的顶层电极板，所述顶层电极板在所述隔离区表面上具有第三投影图形，所述第三投影图形在所述第二投影图形的范围内。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述中层电极板的材料包括：氮化钛。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述中层电极板的厚度为：0.1微米～0.2微米。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一投影图形的边缘与所述第二投影图形的边缘距离为0.1微米～1微米。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述第二绝缘层上的电场缓冲结构，所述电场缓冲结构的击穿电压小于所述第二绝缘层的击穿电压。

6.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述电场缓冲结构包括：位于所述第二绝缘层上的第一电场缓冲层，所述第一电场缓冲层的击穿电压小于所述第二绝缘层的击穿电压、以及位于所述第一电场缓冲层上的第二电场缓冲层，所述第二电场缓冲层的击穿电压小于所述第一电场缓冲层的击穿电压。

7.如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述第一电场缓冲层的材料包括：氮化硅；所述第二电场缓冲层的材料包括：氮化硅。

8.如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述第一电场缓冲层的厚度为：0.3微米～0.6微米；所述第二电场缓冲层的厚度为：0.2微米～0.4微米。

9.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一绝缘层的材料包括：氧化硅；所述第二绝缘层的材料包括：氧化硅。

10.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一绝缘层的厚度为：9微米～13微米；所述第二绝缘层的厚度为：9微米～13微米。

11.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述隔离区内具有隔离结构。

12.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底还包括：器件区，所述器件内具有器件结构；所述半导体结构还包括：位于所述器件区上的数字电路结构。

13.如权利要求13所述的半导体结构，其特征在于，所述器件结构包括：晶体管。

14.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括隔离区；

在所述衬底上形成底层电极板，所述底层电极板在所述隔离区表面上具有第一投影图形；

在所述底层电极板上形成第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上形成中层电极板，所述中层电极板在所述隔离区表面上具有第二投影图形，所述第一投影图形在所述第二投影图形的范围内；

在所述中层电极板上形成第二绝缘层；

在所述第二绝缘层上形成顶层电极板，所述顶层电极板在所述隔离区表面上具有第三投影图形，所述第三投影图形在所述第二投影图形的范围内。

15.如权利要求14所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述中层电极板的材料包括：氮化钛。