[发明专利]半导体结构制作方法及半导体结构

说明书

本申请实施例属于半导体制造技术领域，具体涉及一种半导体结构制作方法及半导体结构。本申请实施例用以解决相关技术中盲孔内填充填充材料时容易产生空隙的问题。衬底上具有盲孔；形成覆盖盲孔的孔壁和孔底的阻挡层；在阻挡层上形成钝化层，钝化层的厚度沿孔口到孔底的方向逐渐减小；向盲孔内填充填充材料，钝化层与填充材料反应，以使得填充材料先充满钝化层和孔底之间的盲孔，直至钝化层被耗尽，以形成第一填充部；向盲孔内填充填充材料，直至填充材料充满盲孔。与相关技术中直接向盲孔内填充填充材料相比，使填充材料先充满钝化层和孔底之间的盲孔，从而减小盲孔的孔深，再使填充材料充满盲孔，进而避免盲孔内出现空隙。

技术领域

本申请实施例涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体结构制作方法及半导体结构。

背景技术

存储器等电子设备上一般具有半导体结构。半导体结构中通常设置有多个盲孔，为实现半导体结构的相关性能，通常需要在盲孔内填充填充材料，并使填充材料充满整个盲孔。相关技术中，通常采用沉积的工艺在盲孔内填充填充材料。然而，对于高深宽比的盲孔来说，在盲孔内沉积填充材料时，盲孔内容易产生空隙，进而影响半导体结构的性能。

发明内容

本申请实施例提供一种半导体结构制作方法及半导体结构，用以解决相关技术中盲孔内填充填充材料时容易产生空隙，进而影响半导体性能的问题。

根据一些实施例，本申请实施例第一方面提供一种半导体结构制作方法，包括：

提供衬底，所述衬底上具有盲孔；

形成阻挡层，所述阻挡层覆盖所述盲孔的孔壁和孔底；

在所述阻挡层上形成钝化层，所述钝化层的厚度沿孔口到孔底的方向逐渐减小；

向所述盲孔内填充填充材料，所述钝化层与所述填充材料反应，以使得所述填充材料先充满所述钝化层和所述孔底之间的所述盲孔，直至所述钝化层被耗尽，以形成第一填充部；

向所述盲孔内填充所述填充材料，直至所述填充材料充满所述盲孔。

在一种可能实现的方式中，在形成所述第一填充部之后还包括：

在所述阻挡层上形成环状的中间钝化层，所述中间钝化层与所述第一填充部之间具有所述预设距离；

向所述盲孔内填充所述填充材料，所述中间钝化层与所述填充材料反应，以使得所述填充材料先充满所述中间钝化层和所述第一填充部之间的所述盲孔，直至所述中间钝化层被耗尽，以形成中间填充部。

在一种可能实现的方式中，向所述盲孔内填充所述填充材料，直至所述填充材料充满所述盲孔包括：

在中间钝化层被耗尽后，向所述盲孔内填充所述填充材料，直至所述填充材料充满所述盲孔。

在一种可能实现的方式中，形成所述钝化层包括：

通入第一工作气体；

通过电场分解形成第一反应物和第一副产物，所述第一副产物用于与所述填充材料反应。

在一种可能实现的方式中，所述第一工作气体包括惰性气体和氢气，所述第一反应物包括惰性气体离子，所述第一副产物包括氢离子。

在一种可能实现的方式中，向所述盲孔内填充填充材料，所述钝化层与所述填充材料反应，以使得所述填充材料先充满所述钝化层和所述孔底之间的所述盲孔，直至所述钝化层被耗尽，以形成第一填充部包括：

采用等离子体增强化学气相沉积工艺形成所述第一填充部。

在一种可能实现的方式中，形成所述第一填充部包括：