[发明专利]半导体结构制备方法及半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：

形成基底，所述基底包括衬底、置于所述衬底上的掩膜层、置于所述掩膜层上的第一图案层、及置于所述第一图案层上的第二图案层，所述第一图案层包括沿第一方向延伸的多个平行设置的第一光阻条及填充在所述第一光阻条之间的第一隔离条，所述第二图案层包括沿第二方向延伸的多个平行设置的第二光阻条及填充在所述第二光阻条之间的第二隔离条，所述第一方向与所述第二方向呈锐角夹角；

去除所述第二光阻条；

以所述第二隔离条为掩膜，图案化所述第一光阻条，形成由第一隔离条及第二隔离条界定的初始图案；

以所述第一隔离条及所述第二隔离条为掩膜，将所述初始图案转移至所述掩膜层，形成目标图案，所述目标图案包括多个平行设置的沿所述第一方向延伸的第一间隔件、及多个平行设置的沿所述第二方向延伸的第二间隔件，所述第一间隔件与所述第二间隔件交叉界定出多个过孔；

以所述掩膜层为掩膜，将所述目标图案转移至所述衬底，以在所述衬底上形成多个接触孔。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在所述形成基底的步骤中，在所述衬底与所述掩膜层之间还设置有多晶硅层，以所述掩膜层为掩膜，将所述目标图案转移至所述衬底的步骤进一步包括：

以所述掩膜层为掩膜，图案化所述多晶硅层，将所述目标图案转移至所述多晶硅层；以所述掩膜层及所述多晶硅层为掩膜，将所述目标图案转移至所述衬底。

3.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在所述形成基底的步骤中，在所述掩膜层与所述第一图案层之间还设置有非晶碳层，在以所述第一隔离条及所述第二隔离条为掩膜，将所述初始图案转移至所述掩膜层，形成目标图案的步骤进一步包括如下步骤：

以所述第一隔离条及所述第二隔离条为掩膜，图案化所述非晶碳层及所述掩膜层；

去除所述第一隔离条、第二隔离条及所述非晶碳层，以在所述掩膜层中形成所述目标图案。

4.根据权利要求3所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在所述形成基底的步骤中，在所述非晶碳层与所述第一图案层之间还设置有抗反射层，在以所述第一隔离条及所述第二隔离条为掩膜，图案化所述非晶碳层及所述掩膜层的步骤中，所述抗反射层也被图案化。

5.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述衬底内设置有：浅沟槽隔离区、被所述浅沟槽隔离区界定的有源区、及沿预设方向穿过所述浅沟槽隔离区及所述有源区的字线结构。

6.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在所述形成基底的步骤中，在所述掩膜层上形成所述第一图案层的方法包括如下步骤：

在所述掩膜层上形成沿所述第一方向延伸的第一光阻条；

在所述第一光阻条及所述掩膜层表面形成第一覆盖层；

在所述第一光阻条之间填充第一隔离物，所述第一覆盖层与所述第一隔离物共同作为所述第一隔离条。

7.根据权利要求6所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第一覆盖层与所述第一隔离物为同种物质。

8.根据权利要求6所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在所述第一光阻条及所述掩膜层表面形成第一覆盖层的方法为原子层沉积法。

9.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在所述形成基底的步骤中，所述第一图案层与所述第二图案层之间还设置有抗反射层。

10.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在所述形成基底的步骤中，在所述第一图案层上形成所述第二图案层的方法包括如下步骤：

在所述第一图案层上形成沿所述第二方向延伸的第二光阻条；

在所述第二光阻条及所述第一图案层表面形成第二覆盖层；

在所述第二光阻条之间填充第二隔离物，所述第二覆盖层与所述第二隔离物共同作为所述第二隔离条。