[发明专利]双波长半导体激光器及其制备方法

权利要求书

1.一种双波长半导体激光器，其特征在于，包括：

第一分布式布拉格反射镜DBR激光区，第一DBR激光区包括第一光栅区，所述第一光栅区设置有第一弯曲波导；

第二DBR激光区，所述第二DBR激光区包括第二光栅区，所述第一光栅区设置有第一弯曲波导，所述第二光栅区设置有第二弯曲波导，所述第一弯曲波导的第一夹角与所述第二弯曲波导的第二夹角互不相同，所述第一光栅区的光栅和所述第二光栅区的光栅具有相同的光栅周期，所述第一夹角为所述第一弯曲波导与垂直所述第一光栅区的光栅方向所成的夹角，所述第二夹角为所述第二弯曲波导与垂直所述第二光栅区的光栅方向所成的夹角。

2.根据权利要求1所述的双波长半导体激光器，其特征在于：所述第一DBR激光区包括第一增益区和第一相区，所述第一相区位于所述第一光栅区的出光侧，所述第一增益区位于所述第一相区的出光侧；所述第二DBR激光区包括第二增益区和第二相区，所述第二相区位于所述第二光栅区的出光侧，所述第二增益区位于所述第二相区的出光侧。

3.根据权利要求2所述的双波长半导体激光器，其特征在于，还包括：

第一可调谐滤波区，所述第一光栅区位于所述第一可调谐滤波区的出光侧；

第二可调谐滤波区，所述第二光栅区位于所述第二可调谐滤波区的出光侧。

4.根据权利要求3所述的双波长半导体激光器，其特征在于：所述第一可调谐滤波区和所述第二可调谐滤波区均包括至少两个环形谐振区。

5.根据权利要求4所述的双波长半导体激光器，其特征在于，还包括：

合波区，所述合波区位于所述第一增益区和所述第二增益区的出光侧；

半导体光放大器SOA区，所述SOA区位于所述合波区的出光侧。

6.根据权利要求5所述的双波长半导体激光器，其特征在于：所述第一DBR激光区、所述第二DBR激光区、所述第一可调谐滤波区、所述第二可调谐滤波区、所述合波区和所述SOA区均由下至上依次包括：衬底、缓冲层、下分别限制层、波导层、上分别限制层、P型盖层。

7.根据权利要求6所述的双波长半导体激光器，其特征在于：所述SOA区、所述第一DBR激光区、所述第二DBR激光区、所述第一可调谐滤波区和所述第二可调谐滤波区所对应的所述P型盖层的上侧还包括P型电极层。

8.根据权利要求6所述的双波长半导体激光器，其特征在于：所述第一光栅区和所述第二光栅区所对应的所述P型盖层和所述上分别限制层之间还包括衍射光栅层。

9.根据权利要求6所述的双波长半导体激光器，其特征在于：所述波导层包括第一波导层和第二波导层，所述第一波导层和所述第二波导层的材料互不相同，其中，所述第一波导层为所述SOA区、所述第一增益区和所述第二增益区所对应的波导层，所述第二波导层为所述第一相区、所述第二相区、所述第一光栅区、所述第二光栅区、所述第一可调谐滤波区、所述第二可调谐滤波区和所述合波区所对应的波导层。