[发明专利]一种原子层数可控的二硫化钼薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 202111028757.8 | 申请日： | 2021-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN113718221A | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 胡忠强;赵亚楠;朱媛媛;刘明;胡天存;王新波;张毅;崔万照 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学;西安空间无线电技术研究所 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 贺小停 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 原子 层数 可控 二硫化钼 薄膜 及其 制备 方法 | ||
1.一种原子层数可控的二硫化钼薄膜，其特征在于，包括基片(2)和抑制二次电子发射层；抑制二次电子发射层设置在基片(2)上；
抑制二次电子发射层包括若干层单原子二硫化钼层(1)，若干层单原子二硫化钼层叠加设置。
2.根据权利要求1所述的一种原子层数可控的二硫化钼薄膜，其特征在于，相邻的单原子二硫化钼层的原子位于相邻层的原子间隙中。
3.根据权利要求1所述的一种原子层数可控的二硫化钼薄膜，其特征在于，基片(2)为Si、Al、Ag、Cu、Au、Fe、Co或Ni基片。
4.一种原子层数可控的二硫化钼薄膜的制备方法，其特征在于，基于权利要求1至3任意一项所述的包括以下步骤：
步骤1：对基片进行预处理；
步骤2：将预处理后的基片固定在磁控溅射的托盘上；
步骤3：对磁控溅射腔升温至400℃，开始磁控溅射生长首层二硫化钼薄膜；
步骤4：在首层二硫化钼薄膜继续生长第二层、第三层…第n层二硫化钼薄膜。
5.根据权利要求1所述的一种原子层数可控的二硫化钼薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1的预处理：对基片利用异丙醇和去离子水进行表面清洗，用N2吹干。
6.根据权利要求1所述的一种原子层数可控的二硫化钼薄膜的制备方法，其特征在于，步骤2中，用Kapton胶带将基片在磁控溅射的托盘上固定，送入磁控溅射腔内，抽真空至5*10-4Pa以下。
7.根据权利要求1所述的一种原子层数可控的二硫化钼薄膜的制备方法，其特征在于，步骤3中，给磁控溅射腔内通氩气，氩气压强为1Pa，氩气流量为25sccm，用10W的功率生长二硫化钼薄膜。
8.根据权利要求1所述的一种原子层数可控的二硫化钼薄膜的制备方法，其特征在于，步骤4中，生长速度为1min生长4nm，磁控溅射时间为1分钟。
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