[发明专利]一种隔离地电路在审
申请号: | 202111030144.8 | 申请日: | 2021-09-03 |
公开(公告)号: | CN113629824A | 公开(公告)日: | 2021-11-09 |
发明(设计)人: | 吴伟;韦思臣;金明珠;陈志军;张志平;刘聪;曾国强;叶国华 | 申请(专利权)人: | 广东博力威科技股份有限公司 |
主分类号: | H02J7/00 | 分类号: | H02J7/00;H02H7/18 |
代理公司: | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人: | 张思思 |
地址: | 523000 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 隔离 电路 | ||
本发明公开了一种隔离地电路,包括:第一三极管的基极与第二三极管的集电极、第一二极管、第二二极管连接,集电极与第一二极管、第一接地端连接,发射极通过第三电阻、第四电阻后与第三接地端连接;第二三极管的基极与第二二极管、第二接地端连接,发射极通过第二电阻后与第三接地端连接、通过第一电阻与第三二极管连接;第一二极管、第二二极管与第一接地端连接;第三三极管的基极与MCU芯片连接,集电极与第三二极管连接,发射极与第三接地端连接。本发明利用三级管的开关弥补两个地之间的电压差,以及平衡通讯过程中所产生的额外功耗,达到代替隔离电源对隔离芯片供电,创造一个隔离地,同时兼容电流均衡的目的。
技术领域
本发明涉及电池技术领域,尤其涉及一种隔离地电路。
背景技术
目前锂电池BMS设计会使用BQ769X0芯片级联做单节电芯保护,在BQ769X0芯片级联电路中,低一级BQ769X0芯片与MCU芯片共地,高一级BQ769X0芯片与MCU芯片不是共地,当MCU芯片对高一级的BQ769X0芯片进行通信时,相对MCU芯片的地,I2C总线上的电压会很高。为避免总线上的高压烧坏MCU芯片,现有技术一般会用通讯隔离芯片对总线信号进行隔离,但是,使用隔离芯片时要配一个隔离电源,因为隔离电源成本较高,当整个电路设计中只存在一个隔离芯片时,隔离电源的利用率较低,设计过剩造成成本浪费。
因此,现有技术需要改进。
发明内容
本发明实施例所要解决的技术问题是:提供一种隔离地电路,以解决现有技术中存在的问题。
根据本发明实施例的一个方面,公开一种隔离地电路,包括:
第一三极管、第二三极管、第三三极管、第一二极管、第二二极管、第三二极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、MCU芯片、第一接地端、第二接地端、第三接地端;
所述第一三极管的基极与所述第二三极管的集电极、第一二极管的第一端、第二二极管的第一端连接,所述第一三极管的集电极与所述第一二极管的第二端、第一接地端连接,所述第一三极管的发射极通过所述第三电阻、第四电阻后与所述第三接地端连接;
所述第二三极管的基极与所述第二二极管的第二端、第二接地端连接,所述第二三极管的发射极通过第二电阻后与所述第三接地端连接、通过第一电阻与所述第三二极管的第一端连接;
所述第一二极管的第二端、第二二极管的第二端与所述第一接地端连接;
所述第三三极管的基极与所述MCU芯片连接,所述第三三极管的集电极与所述第三二极管的第二端连接,所述第三三极管的发射极与所述第三接地端连接。
与现有技术相比,本发明具有如下优点:
本发明的隔离地电路利用三级管的开关弥补两个地之间的电压差,以及平衡通讯过程中所产生的额外功耗,MCU芯片没有输出高电平时,第一三极管无法正常工作,不会产生额外功耗,且第一三极管与第二三极管之间的开关状态来弥补两个地之间的电压差,达到代替隔离电源对隔离芯片供电,创造一个隔离地,同时兼容电流均衡的目的。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所使用的附图做一简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明的隔离地电路的一个实施例的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例只是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
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