[发明专利]电子装置以及用于该电子装置的生物特征传感器在审
申请号: | 202111030736.X | 申请日: | 2021-09-03 |
公开(公告)号: | CN114141823A | 公开(公告)日: | 2022-03-04 |
发明(设计)人: | 朴敬培;金晟汉;尹晟荣;林宣晶;许哲准 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王新华 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 装置 以及 用于 生物 特征 传感器 | ||
本公开提供了电子装置以及用于该电子装置的生物特征传感器。一种电子装置包括显示面板和生物特征传感器。该显示面板包括光发射器。生物特征传感器与显示面板堆叠并配置为检测从显示面板发射并由在电子装置外部的识别目标反射的光。生物特征传感器包括硅基板和在硅基板上的光电转换元件。光电转换元件包括具有波长选择性的光电转换层。
技术领域
公开了电子装置。
背景技术
近来,对实现生物特征识别技术的该电子装置以及包括一个或更多个所述电子装置的移动设备的需求不断增长,以金融、医疗保健为中心,该生物特征识别技术通过利用自动化装置提取人的特定生物特征信息或行为特征信息来验证人。
发明内容
一些示例实施方式提供能够以薄的厚度执行有效的生物特征识别功能的电子装置。
根据一些示例实施方式,一种电子装置可以包括:显示面板,包括光发射器;以及生物特征传感器,在垂直于显示面板的外表面延伸的垂直方向上与显示面板堆叠并配置为检测从显示面板发射且被电子装置外部的识别目标反射的光,其中生物特征传感器包括硅基板和光电转换元件,该光电转换元件在硅基板上并包括具有波长选择性的光电转换层。
生物特征传感器可以是CMOS传感器。
光电转换层可以配置为选择性地吸收可见波长光谱的至少一部分和红外波长光谱的至少一部分之一的光。
显示面板可以配置为发射可见波长光谱的光,并且光电转换层可以配置为选择性地吸收可见波长光谱的所述至少一部分的光并可以不配置为吸收红外波长光谱的光。
光电转换层可以配置为选择性地吸收约400nm至约700nm的全波长光谱的光,并可以不配置为吸收约800nm至约20μm的全波长光谱的光。
光电转换层可以配置为选择性地吸收蓝色波长光谱、绿色波长光谱和红色波长光谱中的一种的光。
电子装置还可以包括配置为发射红外波长光谱的光的红外光源,并且光电转换层可以配置为吸收红外波长光谱的所述至少一部分中的光。
光电转换元件还可以包括彼此面对的第一电极和第二电极,并且第一电极和第二电极中的至少一个可以是透光电极。
生物特征传感器可以不包括任何红外截止滤波器,使得电子装置不包括任何红外截止滤波器。
生物特征传感器可以不包括任何滤色器,使得电子装置不包括任何滤色器。
显示面板可以包括显示区域和将显示区域排除在外的非显示区域,该显示区域包括光发射器并配置为发射光,并且光电转换元件可以在垂直方向上与非显示区域至少部分地重叠。
显示区域可以包括子像素阵列,该子像素阵列包括配置为显示蓝色波长光谱的光的多个第一子像素、配置为显示绿色波长光谱的光的多个第二子像素以及配置为显示红色波长光谱的光的多个第三子像素,并且光电转换元件可以在平行于子像素阵列延伸的水平方向上至少部分地在子像素阵列的至少两个子像素之间。
光发射器可以包括有机发光材料、量子点、钙钛矿或其任意组合。
生物特征传感器可以具有在约50nm和约0.5mm之间的厚度。
根据一些示例实施方式,一种电子装置可以包括:生物特征传感器,在其中布置在硅基板上的用于驱动CMOS的多个光电转换元件,每个光电转换元件包括第一电极、光电转换层以及第二电极,该光电转换层配置为吸收可见波长光谱中的光并且不吸收红外波长光谱中的光;以及显示面板,包括在基板上的多个光发射元件,所述多个光发射元件中的每个光发射元件包括第三电极、包含光发射器的光发射层、以及第四电极。
生物特征传感器可以配置为使用从作为光源的显示面板发射的光来检测由识别目标反射的光,其中识别目标在电子装置外部。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的