[发明专利]发热芯片的制备方法和发热芯片

权利要求书

1.一种发热芯片的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

选取一基材，并在基材表面涂布预涂层，并将预涂层进行第一次固化；

在预涂层上涂布硬化材料，以形成硬化层，并将硬化层进行第二次固化；

在硬化层表面真空溅射制热材料，以形成电热转换层；

将基材和电热转换层封装，形成发热芯片。

2.如权利要求1所述的发热芯片的制备方法，其特征在于，所述预涂层包括聚氨酯和/或聚酯；所述预涂层的厚度范围包括20nm～50μm，且所述预涂层表面的算术平均粗糙度为0.1μm～1μm。

3.如权利要求2所述的发热芯片的制备方法，其特征在于，所述硬化层包括丙烯酸系树脂、环氧系树脂、聚酯系树脂以及聚氨酯系树脂中的一种或多种；所述硬化层的厚度范围包括20nm～50μm。

4.如权利要求3所述的发热芯片的制备方法，其特征在于，所述第一次固化和所述第二次固化包括光固化工艺和/或热固化工艺。

5.如权利要求1所述的发热芯片的制备方法，其特征在于，所述制热材料包括金属氧化物半导体；或者，所述制热材料包括锑掺杂氧化锡、氟掺杂氧化锡、锡酸镉、锡掺杂氧化铟、氧化镉、铝掺杂氧化锌、镁掺杂氧化锌、氟掺杂氧化锌、硫掺杂氧化锌、碳化硅、氧化亚镍、氧化亚铜、一氧化锡中的一种或多种；其中，所述电热转换层的厚度范围包括10nm～1000nm。

6.如权利要求5所述的发热芯片的制备方法，其特征在于，所述将基材和电热转换层封装的步骤包括：

在电热转换层上设置保护层，将基材、电热转换层和保护层进行热压成膜，所述热压成膜的温度包括60～300℃。

7.如权利要求1-6任一项权利要求所述的发热芯片的制备方法，其特征在于，所述将基材和电热转换层封装的步骤之前还包括：

在硬化层上真空镀膜形成一层绝缘层；其中，所述绝缘层的厚度范围包括10～1000nm。

8.一种发热芯片，其特征在于，包括：

基材；

预涂层，所述预涂层覆盖在所述基材表面，且所述预涂层进行过固化处理；

硬化层，所述硬化层覆盖在所述预涂层上，且所述硬化层进行过固化处理；

电热转换层，所述电热转换层覆盖在所述硬化层上，所述电热转换层包括溅射在所述硬化层上的制热材料。

9.如权利要求8所述的发热芯片，其特征在于，所述预涂层包括聚氨酯和/或聚酯；所述预涂层的厚度范围包括20nm～50μm；且所述预涂层表面的算术平均粗糙度为0.1μm～1μm

所述硬化层包括丙烯酸系树脂、环氧系树脂、聚酯系树脂以及聚氨酯系树脂中的一种或多种；所述硬化层的厚度范围包括20nm～50μm。

10.如权利要求8或9所述的发热芯片，其特征在于，还包括：

保护层，所述保护层设置在所述电热转化层上；

绝缘层，所述绝缘层设置在所述硬化层和所述电热转换层之间；其中，所述绝缘层的厚度范围包括10～1000nm。