[发明专利]一种Micro-LED显示面板及其制备方法有效
申请号: | 202111032219.6 | 申请日: | 2021-09-03 |
公开(公告)号: | CN113471243B | 公开(公告)日: | 2021-11-09 |
发明(设计)人: | 罗雪方;陈文娟;罗子杰 | 申请(专利权)人: | 罗化芯显示科技开发(江苏)有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/64;H01L33/62 |
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地址: | 226000 江苏省南通市经济技术开*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 micro led 显示 面板 及其 制备 方法 | ||
本发明涉及一种Micro‑LED显示面板及其制备方法。在本发明的Micro‑LED显示面板的制备过程中,在形成金属栅电极以及源漏电极的同时在第一基板的每个所述Micro‑LED安装区上分别形成第一、第二导热部,且进一步在所述第一绝缘层和所述平坦化层中形成暴露所述第二导热部的第三通孔,并在所述第三通孔中沉积金属材料以形成第三导热部,上述第一、第二、第三导热部的设置可以便于Micro‑LED的快速散热,可以有效提高其散热性能,进而可以提高Micro‑LED显示面板的使用寿命。
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,具体涉及一种Micro-LED显示面板及其制备方法。
背景技术
传统的显示产品技术主要包括玻璃显像管显示器、液晶显示面板、有机发光显示面板、数字光处理和激光显示器,但是在强光、高温等极端的环境中,基于这些技术的产品就会出现亮度低、效率低、可靠性差的特点。而Micro-LED显示器在亮度、发光效率、对比度、能耗、反应时间、可视角度、分辨率、寿命、耐候性等各项指标具有明显的优势,进而引起了各大显示领域的公司的广泛关注。
Micro-LED显示器的显示原理是将传统的LED芯片结构设计进行薄膜化、微小化以及阵列化之后,使得形成的Micro-LED芯片的尺寸仅在1~10μm等级左右;然后将Micro-LED芯片批量式转移至采用PCB、柔性PCB及CMOS/TFT集成电路工艺等制成驱动电路基板上,然后再利用物理气相沉积和/或化学气相沉积工艺完成保护层与上电极的制备,最后进行上基板的封装,以得到Micro-LED显示器。
目前的Micro-LED显示器因具有大量的Micro-LED芯片,如何改善其散热特性,其如何实现Micro-LED芯片的大量转移,这引起了各大厂商的广泛关注。
发明内容
本发明的目的是克服上述现有技术的不足,提供一种Micro-LED显示面板及其制备方法。
为实现上述目的,本发明提出的一种Micro-LED显示面板的制备方法,包括以下步骤:
步骤(1):提供第一基板,所述第一基板包括多个薄膜晶体管设置区和多个Micro-LED安装区,接着在所述第一基板的每个所述Micro-LED安装区均形成一第一通孔。
步骤(2):接着在所述第一基板上沉积金属材料以形成第一金属层,所述第一金属层填充所述第一通孔,接着对所述第一金属层进行图案化处理,以在每个所述薄膜晶体管设置区形成一金属栅电极,并在每个所述Micro-LED安装区形成一第一导热部。
步骤(3):接着在所述第一基板上沉积绝缘材料以形成栅电极绝缘层,接着在所述栅电极绝缘层上沉积半导体材料以形成半导体有源层,并对所述半导体有源层进行图案化处理,以在每个所述薄膜晶体管设置区形成一半导体有源单元。
步骤(4):接着对所述栅电极绝缘层进行刻蚀处理以形成暴露所述第一导热部的第二通孔。
步骤(5):接着在所述栅电极绝缘层上沉积金属材料以形成第二金属层,所述第二金属层填充所述第二通孔,接着对所述第二金属层进行图案化处理,以在每个所述薄膜晶体管设置区形成一源电极和一漏电极,并在每个所述Micro-LED安装区形成一第二导热部,所述第二导热部接触所述第一导热部。
步骤(6):接着沉积绝缘材料以形成第一绝缘层,所述第一绝缘覆盖所述半导体有源单元、所述源电极、所述漏电极和所述第二导热部。
步骤(7):接着在所述第一绝缘层上形成一平坦化层,接着在所述第一绝缘层和所述平坦化层中形成暴露所述第二导热部的第三通孔,接着在所述第三通孔中沉积金属材料以形成第三导热部,所述第三导热部接触所述第二导热部。
步骤(8):接着在所述平坦化层上形成第一粘结层,所述第一粘结层仅覆盖所述Micro-LED安装区。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的