[发明专利]复合介质陶瓷及其制备方法和微波滤波器有效
| 申请号： | 202111032875.6 | 申请日： | 2021-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN113896568B | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 冒旭 | 申请（专利权）人： | 摩比天线技术（深圳）有限公司;摩比科技（深圳）有限公司;摩比通讯技术（吉安）有限公司;摩比科技（西安）有限公司;深圳市晟煜智慧网络科技有限公司;西安摩比天线技术工程有限公司 |
| 主分类号： | C04B41/88 | 分类号： | C04B41/88;C23C14/35;C23C14/18 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 方良 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 复合 介质 陶瓷 及其 制备 方法 微波 滤波器 | ||
1.一种复合介质陶瓷，包括介质陶瓷本体，其特征在于：在所述介质陶瓷本体的表面结合有Ag层，且由所述介质陶瓷本体至所述Ag层外表面的方向，所述Ag层的密度呈梯度增加；
在所述介质陶瓷本体的表面形成Ag层的方法包括如下步骤：
将Ag靶材采用磁控溅射的方法沉积在所述介质陶瓷本体的表面，形成所述Ag层；其中，所述磁控溅射中的磁控溅射压强是随着所述磁控溅射的进行逐渐降低。
2.根据权利要求1所述的复合介质陶瓷，其特征在于：所述Ag层的密度范围为7.5~10.1g/cm3；和/或
所述Ag层的厚度为3~6 μm。
3.根据权利要求1或2所述的复合介质陶瓷，其特征在于：所述介质陶瓷本体为微波介质陶瓷体。
4.一种复合介质陶瓷的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供介质陶瓷本体；
在所述介质陶瓷本体的表面形成Ag层，由所述介质陶瓷本体至所述Ag层外表面的方向，使得所述Ag层的密度呈梯度增加；
在所述介质陶瓷本体的表面形成Ag层的方法包括如下步骤：
将Ag靶材采用磁控溅射的方法沉积在所述介质陶瓷本体的表面，形成所述Ag层；其中，所述磁控溅射中的磁控溅射压强是随着所述磁控溅射的进行逐渐降低。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于：所述磁控溅射压强为8.0Pa~0.2Pa，所述溅射时间为20~30 min。
6.根据权利要求4或5所述的制备方法，其特征在于：所述磁控溅射的直流电压为2000~3000V，电流为0.5~2.0A；和/或
所述磁控溅射中，所述介质陶瓷本体的温度为80~160℃；和/或
所述磁控溅射中的背底真空度为5×10-4 Pa~1×10-3 Pa；和/或
所述磁控溅射中的氩气流量为20 sccm~50 sccm。
7.根据权利要求4-5任一项所述的制备方法，其特征在于：在所述介质陶瓷本体的表面形成Ag层的步骤之前，还包括对所述介质陶瓷本体进行包括如下方法步骤的前处理：
先对介质陶瓷本体进行研磨处理和清洗处理，再进行干燥处理。
8.一种微波滤波器，其特征在于：其为权利要求1-3任一项所述的复合介质陶瓷或由权利要求4-7任一项所述的制备方法制备的复合介质陶瓷，且所述复合介质陶瓷所含的介质陶瓷本体为微波介质陶瓷体。
9.根据权利要求8所述的微波滤波器，其特征在于：所述Ag层与所述微波介质陶瓷体之间的结合力达到38.2 N/mm2；和/或
所述微波滤波器的插入损耗1dB。
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