[发明专利]一种陶瓷基板通孔微电阻测试方法在审
申请号: | 202111034394.9 | 申请日: | 2021-09-03 |
公开(公告)号: | CN113702446A | 公开(公告)日: | 2021-11-26 |
发明(设计)人: | 王新强;王维昀;康俊杰;李永德;罗巍;王后锦;袁冶 | 申请(专利权)人: | 松山湖材料实验室 |
主分类号: | G01N27/04 | 分类号: | G01N27/04;G01R27/02 |
代理公司: | 深圳市千纳专利代理有限公司 44218 | 代理人: | 童海霓 |
地址: | 523000 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 陶瓷 基板通孔微 电阻 测试 方法 | ||
1.一种陶瓷基板通孔微电阻测试方法,其特征在于,其包括以下步骤:
(1)预备陶瓷基板,在陶瓷基板上加工出若干孔径不一致的通孔;
(2)在陶瓷基板的上下表面进行镀膜,形成上金属层和下金属层;
(3)采用金属材料对陶瓷基板上的通孔进行填充,形成使得上金属层和下金属层相导通的导体;
(4)对陶瓷基板的表面的上金属层或/和下金属层进行光刻形成能使得不同孔径内的导体相隔开绝缘,而相同孔径内的导体相导通的上、下测试电极;
(5)采用多探针方式测试各个通孔的电阻值,经过计算,获得通孔的面电阻率值,通过面电阻率值乘以孔径尺寸,获得实际电阻值。
2.根据权利要求1所述的陶瓷基板通孔微电阻测试方法,其特征在于:所述步骤(1)采用激光、光刻或刻蚀在陶瓷基板上加工出通孔。
3.根据权利要求1所述的陶瓷基板通孔微电阻测试方法,其特征在于:所述步骤(2)采用金属蒸发或电镀方式进行镀膜。
4.根据权利要求1所述的陶瓷基板通孔微电阻测试方法,其特征在于:所述陶瓷基板为AlN、Al2O3、SiN、ZrO2、金刚石中任意一种。
5.根据权利要求1所述的陶瓷基板通孔微电阻测试方法,其特征在于:所述通孔的孔径为1~500um,深度为100um~5mm。
6.根据权利要求1所述的陶瓷基板通孔微电阻测试方法,其特征在于:所述金属材料为Cu、Au、Al、Ni、Ti中任意一种。
7.根据权利要求1所述的陶瓷基板通孔微电阻测试方法,其特征在于:所述步骤(3)采用电镀、溅射、蒸发或旋涂方式对陶瓷基板上的通孔进行填充。
8.根据权利要求1所述的陶瓷基板通孔微电阻测试方法,其特征在于:所述通孔的数量为2~10个。
9.根据权利要求1所述的陶瓷基板通孔微电阻测试方法,其特征在于:不同的上、下测试电极的面积大小一致。
10.根据权利要求1-7任意一项所述的陶瓷基板通孔微电阻测试方法,其特征在于:所述步骤(5)具体包括以下步骤:
采用四探针法测试各个通孔的电阻值,随后以半径的平方为X轴,电阻值为Y轴,进行曲线绘制,拟合曲线,斜率为面电阻率的值,对于任意孔径的通孔,根据通孔面积,结合拟合得到的面电阻率,从而计算出实际电阻值。
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