[发明专利]基于单端电流源电阻抗断层成像的激励及测量方法在审
申请号: | 202111035238.4 | 申请日: | 2021-09-08 |
公开(公告)号: | CN113866222A | 公开(公告)日: | 2021-12-31 |
发明(设计)人: | 崔自强;杨朋雨 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | G01N27/02 | 分类号: | G01N27/02;A61B5/0536 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 电流 阻抗 断层 成像 激励 测量方法 | ||
1.一种基于单端电流源电阻抗断层成像的激励与测量方法,其特征是:控制单元(18)通过控制信号线(19)对矩阵开关模块(5)、仪表放大器单刀双掷开关A(10)和B(11),电流源单刀双掷开关A(12)和B(13)发送控制信号,可实现将电极阵列(2)中的任意两个电极连接到电流注入端A(8)和B(9),分别接到压控电流源(15)与参考地(16)。在被测场域(1)注入交流激励电流后,除激励电极之外的任意两电极对可分别连接至仪表放大器(14)的正向输入端(6)与反向输入端(7),测得此电极对的电压差,并由相敏解调器(17)获得此交流信号的幅值与相位信息,并发送到控制单元(18)。
2.根据权利要求1所述基于单端电流源电阻抗断层成像的激励与测量方法,其特征是:所述矩阵开关模块是由模拟电子开关芯片或继电器阵列构成,可实现四端子与任意电极之间的分别导通。
3.利用权利要求1所述基于单端电流源电阻抗断层成像的激励与测量方法,消除漏电流对单端电流源激励的影响,达到推挽激励模式的性能;该方法包括有以下步骤:
步骤1),控制单元(18)将控制信号通过控制信号线(19)发送到矩阵开关模块(5),使EIT/ERT系统中的任意两个电极连接至电流注入端A(8)与B(9),通过控制电流源单刀双掷开关A(12)和B(13)向被测场域(1)注入电流大小为It的正向激励,同时,控制矩阵开关模块(5)将任意非激励电极对连接至仪表放大器(14)的正向输入端(6)与反向输入端(7),通过控制仪表放大器单刀双掷开关A(10)和B(11),使用仪表放大器(14)和相敏解调器(17)得到此交流信号u'(i,j)的幅值与相位信息,并发送到控制单元(18),根据接地电极流出电流大小I′t,获得正向激励下漏电流大小∑I′k。
步骤2),改变电流源单刀双掷开关A(12)和B(13)的控制效果,向被测场域注入大小相等的反向激励电流,根据接地电极流出电流大小I″t,获得反向激励下漏电流大小∑I″k,得到参数α(m,n)=∑I′k/∑I″k。
步骤3),向被测场域注入大小为α(m,n)It的反向激励电流,改变仪表放大器单刀双掷开关A(10)和B(11)的控制效果,由仪表放大器(14)和相敏解调器(17)将交流信号u″(i,j)的幅值与相位信息发送到控制单元(18),根据公式获得修正后的测量值。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津大学,未经天津大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111035238.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。