[发明专利]输入可浮空的电源选择电路有效
申请号: | 202111035668.6 | 申请日: | 2021-09-06 |
公开(公告)号: | CN113852182B | 公开(公告)日: | 2023-05-30 |
发明(设计)人: | 黄存华 | 申请(专利权)人: | 成都锐成芯微科技股份有限公司 |
主分类号: | H02J9/06 | 分类号: | H02J9/06 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610041 四川省成都*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 输入 可浮空 电源 选择 电路 | ||
1.一种输入可浮空的电源选择电路,连接于主电源和备用电源,其特征在于,所述电源选择电路包括电源开关子电路、电平位移子电路、锁存器和主电源检测子电路;所述主电源检测子电路用于检测主电源是否满足电路需求,并输出检测信号至所述电平位移子电路,所述电平位移子电路用于将检测信号转换为高压信号,并输出至所述锁存器,所述锁存器将高压信号输出至所述电源开关子电路,所述电源开关子电路和所述锁存器之间还连接有第一反相器,所述第一反相器输出反向信号至所述电源开关子电路;所述电源开关子电路根据所述高压信号和所述反向信号接通主电源或备用电源,并由电源输出端输出至后续电路;
所述电源开关子电路包括连接于备用电源的第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管和第四PMOS管,连接于主电源的第五PMOS管和第六PMOS管;
所述第一PMOS管的衬底、栅极和漏极、所述第二PMOS管的漏极和衬底、所述第三PMOS管的漏极和衬底、所述第四PMOS管的衬底、所述第五PMOS管的栅极、漏极和衬底以及第六PMOS管的衬底连接于衬底电压;
所述第一PMOS管的源极连接于所述备用电源;所述第二PMOS管的源极连接于所述备用电源、栅极连接于所述主电源;所述第三PMOS管的源极连接于所述主电源、栅极连接于所述备用电源;所述第五PMOS管的源极连接于所述主电源;所述第四PMOS管的源极连接于所述备用电源、栅极连接于所述第一反相器的输出端、漏极连接于电源输出端;所述第六PMOS管的源极连接于所述主电源、栅极连接于所述锁存器、漏极连接于所述电源输出端。
2.根据权利要求1所述的输入可浮空的电源选择电路,其特征在于,所述电平位移子电路包括第二反相器、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第七PMOS管和第八PMOS管;
所述第二反相器的输入端连接于所述主电源检测子电路,输出端连接于所述第二NMOS管的栅极;所述第一NMOS管的栅极连接于所述主电源检测子电路、源极接地、漏极连接于所述第三NMOS管的源极;所述第二NMOS管的源极接地、漏极连接于所述第四NMOS管的源极;所述第三NMOS管的栅极连接于所述第四NMOS管的栅极、漏极连接于所述第七PMOS管的漏极和所述第八PMOS管的栅极;所述第四NMOS管的漏极连接于所述第七PMOS管的栅极和所述第八PMOS管的漏极;所述第七PMOS管和第八PMOS管的源极和衬底连接于衬底电压。
3.根据权利要求2所述的输入可浮空的电源选择电路,其特征在于,所述电路还包括上电复位子电路,所述上电复位子电路连接于所述电平位移子电路,用于延时启动所述电源选择电路。
4.根据权利要求3所述的输入可浮空的电源选择电路,其特征在于,所述上电复位子电路包括第一电容、第二电容、第九PMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第三反相器和第四反相器;
所述第一电容的一端连接于所述衬底电压、另一端连接于所述第五NMOS管的漏极和栅极,所述第五NMOS管的源极接地;第二电容的一端接地、另一端连接于所述第三反相器的输入端和所述第九PMOS管的漏极,所述第九PMOS管的源极和衬底连接于所述衬底电压、栅极连接于所述第五NMOS管的漏极和栅极,所述第三反相器的输出端连接于所述第四反相器的输入端和所述第六NMOS管的栅极,所述第四反相器的输出端连接于所述电平位移子电路中所述第三NMOS管和所述第四NMOS管的栅极;所述第六NMOS管的源极接地、漏极连接于所述电平位移子电路中所述第六PMOS管的栅极、所述第八PMOS管的漏极和第四NMOS管的漏极。
5.根据权利要求4所述的输入可浮空的电源选择电路,其特征在于,所述第三反相器和所述第六NMOS管的栅极之间还串接有第五反相器和第六反相器,所述第五反相器的输入端连接于所述第三反相器的输出端,所述第五反相器的输出端连接于所述第六反相器的输入端,所述第六反相器的输出端连接于所述第六NMOS管的栅极。
6.根据权利要求4所述的输入可浮空的电源选择电路,其特征在于,所述第九PMOS管和所述第五NMOS管为倒比管。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都锐成芯微科技股份有限公司,未经成都锐成芯微科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111035668.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:负极片、电芯叠片设备及方法
- 下一篇:手术机器人骨骼的配准方法及系统