[发明专利]激光解键合步进补偿方法

说明书

本发明提供一种激光解键合步进补偿方法，应用于叠层结构的解键合过程中，其中，叠层结构包括用键合胶键合在一起的基板和晶圆，在解键合时，采用透明吸盘吸附在基板上，方法包括：依据前一爆点位置以及前一爆点的热影响区域，确定目标位置；依据目标位置以及前一爆点的激光光路，确定当前爆点位置的基板入射位置；依据基板入射位置的吸盘厚度以及折射率，确定当前激光发生器的补偿位移；控制激光发生器依据预定的第一位移以及补偿位移移动到当前爆点的激光发生器位置。本发明能够对吸盘的不同厚度区域的折射所导致的光路偏移进行补偿，以使激光解键合过程中的爆点位置能够准确定位。

技术领域

本发明涉及半导体加工技术领域，尤其涉及一种激光解键合步进补偿方法。

背景技术

在半导体制程领域中，经常需要对半导体晶圆单片的厚度进行薄化，所以必须对具有厚度的半导体晶圆在加载集成电路后对背面进行薄化加工(研磨切削)，而在加工过程中，通常会利用一基板将半导体晶圆暂时性键合(Temporary Bonding)，而由基板在加工过程作为半导体晶圆的基底，以保护半导体晶圆在加工过程不因厚度薄化而受损，当半导体晶圆完成薄化的后，必须再将半导体晶圆和基板解键合(DeBonding)。

现有技术中，在对半导体晶圆和基板解键合的过程中，通过对键合胶进行化学溶剂进行溶解、通过热滑动剥离或者通过激光解键合的方式来实现半导体晶圆和基板的解键合。而对于激光解键合来说，通常需要采用激光对所有键合胶进行照射，使其发生相变，再对半导体晶圆和基板进行施力分离。为了对激光照射的区域进行尽快的分离，可以采用透明的吸盘吸附在基板上，激光透过透明吸盘和基板后对键合胶进行照射，然后再采用透明吸盘对基板施力来实现基板和晶圆的分离。

在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术中至少存在如下技术问题：透明吸盘的不同区域通常会具有不同的厚度，激光的光路在不同厚度区域的传播过程中，会导致偏移量不同，导致爆点位置不准。

发明内容

本发明提供的激光解键合步进补偿方法，能够对吸盘的不同厚度区域的折射所导致的光路偏移进行补偿，以使激光解键合过程中的爆点位置能够准确定位。

本发明提供一种激光解键合步进补偿方法，应用于叠层结构的解键合过程中，其中，所述叠层结构包括用键合胶键合在一起的基板和晶圆，在解键合时，采用透明吸盘吸附在基板上，所述方法包括：

依据前一爆点位置以及前一爆点的热影响区域，确定当前爆点的目标位置；

依据所述目标位置以及前一爆点对应的激光光路，确定当前爆点位置对应的基板入射位置；

依据所述基板入射位置对应的吸盘厚度以及折射率，确定当前激光发生器的补偿位移；

控制激光发生器依据预定的第一位移以及补偿位移移动到当前爆点对应的激光发生器位置，以使所述激光发生器发出的激光经透明吸盘折射后入射至当前爆点的目标位置。

可选地，依据前一爆点位置以及前一爆点的热影响区域，确定当前爆点的目标位置包括：

将所述叠层结构划分为多个解键合区域，其中，所述多个解键合区域为同心设置的多个环形区域，每个所述环形区域中能容纳多个爆点的热影响区域；

依据前一爆点位置在对应的解键合区域中的位置，确定当前爆点的步进方向以及步进距离。

可选地，依据前一爆点位置在对应的解键合区域中的位置，确定当前爆点的步进方向以及步进距离包括：

当所述前一爆点为当前区域的最后一个爆点之外的爆点时；

依据前一爆点的热影响区域，确定所述热影响区域沿所述叠层结构周向的第一热影响范围；

以所述前一爆点的位置为起点，沿所述叠层结构周向步进第一热影响范围，以确定当前爆点的目标位置。