[发明专利]一种抑制锂枝晶生长的复合三维金属锂负极的制备方法

权利要求书

1.一种抑制锂枝晶生长的复合三维金属锂负极的制备方法，包括下列步骤：

1)制备纳米多孔金属箔片

制备Cu-Mn合金箔片，原子百分比Cu为25％-40％，Mn为60％-75％；将Cu-Mn合金箔片置于盐酸溶液中，通过盐酸与锰反应进行去合金化，再经清洗和干燥后制得纳米多孔金属箔片；

2)制备三维多孔铜箔片

将上一步骤制得的纳米多孔铜箔片置于惰性气体和氢气气氛里，温度升至800-1000℃，在此温度下煅烧0.5-5min，后随炉冷却，即可得到100nm-1μm孔径大小的三维多孔铜；

3)制备三维多孔铜/硫化铜复合箔片

将上一步骤制备的三维多孔铜在空气中加热到100-300℃，保温1-2h；冷却至室温后，将三维多孔铜放置到1-3mol/L的硫化钠水溶液中浸渍1-2h；将浸渍后的三维多孔铜放入到含硫化钠水溶液的水热反应釜中，在90-120℃进行水热反应，反应时间为12-24h；随后取出冷却，清洗并干燥后得到三维多孔铜/硫化铜箔片；

4)制备三维多孔铜/硫化锂/金属锂复合金属锂负极

将步骤3)中制得的三维多孔铜/硫化铜箔片转移到手套箱内；将金属锂放置加热到200-300℃，得到熔融状态的金属锂；将三维多孔铜/硫化铜箔片的一部分放置到熔融态的金属锂内，通过金属锂与硫化铜的原位反应得到硫化锂，同时熔融锂在毛细力作用下沿着三维连通的铜/硫化铜骨架流入到三维多孔结构内，最终制备得到三维多孔铜/硫化锂/金属锂复合金属锂负极。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1)中，在30-50℃水浴中加热加速腐蚀，腐蚀时间为1-3h，通过盐酸与锰反应进行去合金化。