[发明专利]一种高精度双面蓝光掩膜基版及其制造方法

权利要求书

1.一种高精度双面蓝光掩膜基版，其特征在于：所述高精度双面蓝光掩膜基版从上至下依次包括：铬氮氧化物超低反射膜层、铬氮化物遮光膜层、铬氮氧化物低反射膜层以及玻璃基片。

2.根据权利要求1所述的高精度双面蓝光掩膜基版，其特征在于：所述铬氮氧化物超低反射膜层的厚度为所述铬氮化物遮光膜层的厚度为所述铬氮氧化物低反射膜层的厚度为

3.根据权利要求1所述的高精度双面蓝光掩膜基版，其特征在于：所述高精度双面蓝光掩膜基版的背面反射率BR％小于10％，底部波长690-750nm，正面反射率FR％小于3％，底部波长640-700nm，光学密度OD在450nm处为3.7-4.1。

4.根据权利要求1所述的高精度双面蓝光掩膜基版，其特征在于：所述玻璃基片距离其边缘5mm内设为有效区，所述有效区内表面无可视气泡，所述玻璃基片正面的大于或等于1μm的崩面的个数为零个，所述玻璃基片背面的小于或等于10μm的崩面的个数为小于或等于一个，所述玻璃基片内的大于或等于1μm的杂质的个数为零个，所述玻璃基片内的大于0.5mm的裂纹的个数为零个，所述玻璃基片的正面的大于或等于3μm×5mm的划伤的个数为零个，所述玻璃基片的背面的大于或等于3μm×5mm的划伤的个数为小于或等于1个，所述玻璃基片的表面的直径大于1μm的颗粒的密度小于0.01个每平方厘米，且所述玻璃基片与纯水的接触角θ为小于或等于5度。

5.根据权利要求1所述的高精度双面蓝光掩膜基版，其特征在于：

所述铬氮氧化物超低反射膜层中：铬的质量百分比含量为65-90％，氮的质量百分比含量为8-30％，氧的质量百分比含量为2-5％；

所述铬氮化物遮光膜层中：铬的质量百分比含量为70-95％，氮的质量百分比含量为5-30％；

所述铬氮氧化物低反射膜层中：铬的质量百分比含量为65-90％，氮的质量百分比含量为8-30％，氧的质量百分比含量为2-5％。

6.根据权利要求2所述的高精度双面蓝光掩膜基版，其特征在于：所述铬氮氧化物超低反射膜层的厚度为所述铬氮化物遮光膜层的厚度为所述铬氮氧化物低反射膜层的厚度为

7.根据权利要求1所述的高精度双面蓝光掩膜基版的制造方法，其特征在于：所述玻璃基片为钠钙玻璃基片、石英玻璃基片或者硼硅玻璃基片。

8.根据权利要求1-7任一项所述的高精度双面蓝光掩膜基版的制造方法，其特征在于：包括如下步骤：

S1：提供一个Cr靶材，采用密闭往复式镀膜技术，在真空度低于2.5E-3Pa的条件下，通入N₂：O₂的比例为10:1-11:1的气体，控制压力为0.3-0.4Pa，功率为5-8kw，在温度为80-200度的玻璃基片上形成所述铬氮氧化物低反射膜层；

S2：提供一个Cr靶材，采用密闭往复式镀膜技术，在真空度低于2.5E-3Pa的条件下，通入Ar：N₂的比例为9:1-10:1的气体，控制压力为：0.2-0.3pa，功率为5-8kw，在所述铬氮氧化物低反射膜层上形成所述铬氮化物遮光膜层；

S3：提供一个Cr靶材，采用密闭往复式镀膜技术，在真空度低于2.5E-3Pa的条件下，通入N₂：O₂的比例为9:1-10:1的气体，控制压力为：0.3-0.4pa，功率为5-8kw，在所述铬氮氧化物遮光膜层上形成所述铬氮氧化物超低反射膜层。

9.根据权利要求8所述的高精度双面蓝光掩膜基版的制造方法，其特征在于：在所述步骤S1之前，还包括以下步骤：

S0：采用纯水对所述玻璃基片进行DIP清洗，清洗时间为90-110min。

10.根据权利要求9所述的高精度双面蓝光掩膜基版的制造方法，其特征在于：在所述步骤S0和所述步骤S1之间，还包括以下步骤：

步骤S5：在55-65℃的纯水中以1-3mm/s的速度提拉并烘干所述玻璃基片。