[发明专利]一种半导体装置及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202111041020.X 申请日: 2021-09-07
公开(公告)号: CN113488396B 公开(公告)日: 2021-11-05
发明(设计)人: 宋小波;石明华;蔡成俊;陈健 申请(专利权)人: 南通汇丰电子科技有限公司
主分类号: H01L21/50 分类号: H01L21/50;H01L21/56;H01L23/31
代理公司: 苏州三英知识产权代理有限公司 32412 代理人: 陆颖
地址: 226131 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 半导体 装置 及其 制备 方法
【说明书】:

发明涉及一种半导体装置及其制备方法,通过在所述第一、第二、第三、第四芯片的第一、第二、第三、第四沟槽中分别形成第一、第二、第三、第四盲孔,并在第五、第六、第七、第八芯片各自的背面分别形成第一、第二、第三、第四凸起,并在所述第一、第二、第三、第四凸起的侧表面分别形成贯穿穿孔,进而在后续的键合工艺中,在第一、第二、第三、第四沟槽中以及第一、第二、第三、第四盲孔中设置粘结材料,进而将第五、第六、第七、第八芯片分别对应设置在第一、第二、第三、第四沟槽中,并使得第一、第二、第三、第四凸起分别嵌入到相应的第一、第二、第三、第四盲孔中,并使得各盲孔中的粘结材料的一部分嵌入到各凸起的各穿孔中。

技术领域

本发明涉及半导体封装领域,特别是涉及一种半导体装置及其制备方法。

背景技术

在现有的半导体堆叠封装技术中,通常是在第一半导体芯片与第二半导体芯片之间直接设置粘合材料以完成第一半导体芯片和第二半导体芯片的键合,进而利用树脂材料封装上述键合完成的第一半导体芯片和第二半导体芯片。然而在实际的封装过程中,由于第一半导体芯片和第二半导体芯片的键合稳定性不高,在利用树脂封装的过程中容易造成第一半导体芯片和第二半导体芯片之间发生剥离错位,进而影响半导体堆叠封装结构的稳定性,进而造成制造成本增加。

发明内容

本发明的目的是克服上述现有技术的不足,提供一种半导体装置及其制备方法。

为实现上述目的,本发明采用的技术方案是:

一种半导体装置的制造方法,包括以下步骤:

步骤(1):提供第一载板,在所述第一载板上设置第一弹性粘结层,在所述第一弹性粘结层上设置第一芯片、第二芯片、第三芯片和第四芯片,所述第一、第二、第三、第四芯片的有源面朝向所述第一弹性粘结层,所述第一、第二、第三、第四芯片各自的一部分均嵌入到所述第一弹性粘结层中。

步骤(2):接着在所述第一、第二、第三、第四芯片各自的背面分别形成第一、第二、第三、第四沟槽,接着在所述第一、第二、第三、第四沟槽中分别形成第一、第二、第三、第四盲孔,其中,所述第一盲孔的深度小于所述第二盲孔的深度,所述第二盲孔的深度小于所述第三盲孔的深度,所述第三盲孔的深度小于所述第四盲孔的深度。

步骤(3):提供第二载板,在所述第二载板上设置第二弹性粘结层,在所述第二弹性粘结层上设置第五芯片、第六芯片、第七芯片和第八芯片,所述第五、第六、第七、第八芯片的有源面朝向所述第二弹性粘结层,所述第五、第六、第七、第八芯片各自的一部分均嵌入到所述第二弹性粘结层中,其中,所述第五芯片的厚度小于所述第六芯片的厚度,所述第六芯片的厚度小于所述第七芯片的厚度,所述第七芯片的厚度小于所述第八芯片的厚度。

步骤(4):接着在所述第五、第六、第七、第八芯片各自的背面分别形成第一、第二、第三、第四凸起,所述第一凸起的高度小于所述第二凸起的高度,所述第二凸起的高度小于所述第三凸起的高度,所述第三凸起的高度小于所述第四凸起的高度。

步骤(5):在所述第一凸起的侧表面形成贯穿所述第一凸起的穿孔,在所述第二凸起的侧表面形成贯穿所述第二凸起的穿孔,在所述第三凸起的侧表面形成贯穿所述第三凸起的穿孔,在所述第四凸起的侧表面形成贯穿所述第四凸起的穿孔。

步骤(6):接着在所述第一、第二、第三、第四沟槽中以及所述第一、第二、第三、第四盲孔中设置粘结材料,进而将所述第五、第六、第七、第八芯片分别对应设置在所述第一、第二、第三、第四沟槽中,并使得所述第一、第二、第三、第四凸起分别嵌入到相应的所述第一、第二、第三、第四盲孔中,并使得各盲孔中的粘结材料的一部分嵌入到各凸起的各穿孔中。

步骤(7):接着去除所述第二载板,接着在所述第一载板上形成有机封装层,所述有机封装层包裹各芯片。

步骤(8):接着在所述有机封装层的上表面形成第一布线层,接着去除所述第一载板,接着在所述有机封装层的下表面形成第二布线层。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南通汇丰电子科技有限公司,未经南通汇丰电子科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111041020.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top