[发明专利]一种半导体装置及其制备方法有效
申请号: | 202111041020.X | 申请日: | 2021-09-07 |
公开(公告)号: | CN113488396B | 公开(公告)日: | 2021-11-05 |
发明(设计)人: | 宋小波;石明华;蔡成俊;陈健 | 申请(专利权)人: | 南通汇丰电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/56;H01L23/31 |
代理公司: | 苏州三英知识产权代理有限公司 32412 | 代理人: | 陆颖 |
地址: | 226131 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体 装置 及其 制备 方法 | ||
本发明涉及一种半导体装置及其制备方法,通过在所述第一、第二、第三、第四芯片的第一、第二、第三、第四沟槽中分别形成第一、第二、第三、第四盲孔,并在第五、第六、第七、第八芯片各自的背面分别形成第一、第二、第三、第四凸起,并在所述第一、第二、第三、第四凸起的侧表面分别形成贯穿穿孔,进而在后续的键合工艺中,在第一、第二、第三、第四沟槽中以及第一、第二、第三、第四盲孔中设置粘结材料,进而将第五、第六、第七、第八芯片分别对应设置在第一、第二、第三、第四沟槽中,并使得第一、第二、第三、第四凸起分别嵌入到相应的第一、第二、第三、第四盲孔中,并使得各盲孔中的粘结材料的一部分嵌入到各凸起的各穿孔中。
技术领域
本发明涉及半导体封装领域,特别是涉及一种半导体装置及其制备方法。
背景技术
在现有的半导体堆叠封装技术中,通常是在第一半导体芯片与第二半导体芯片之间直接设置粘合材料以完成第一半导体芯片和第二半导体芯片的键合,进而利用树脂材料封装上述键合完成的第一半导体芯片和第二半导体芯片。然而在实际的封装过程中,由于第一半导体芯片和第二半导体芯片的键合稳定性不高,在利用树脂封装的过程中容易造成第一半导体芯片和第二半导体芯片之间发生剥离错位,进而影响半导体堆叠封装结构的稳定性,进而造成制造成本增加。
发明内容
本发明的目的是克服上述现有技术的不足,提供一种半导体装置及其制备方法。
为实现上述目的,本发明采用的技术方案是:
一种半导体装置的制造方法,包括以下步骤:
步骤(1):提供第一载板,在所述第一载板上设置第一弹性粘结层,在所述第一弹性粘结层上设置第一芯片、第二芯片、第三芯片和第四芯片,所述第一、第二、第三、第四芯片的有源面朝向所述第一弹性粘结层,所述第一、第二、第三、第四芯片各自的一部分均嵌入到所述第一弹性粘结层中。
步骤(2):接着在所述第一、第二、第三、第四芯片各自的背面分别形成第一、第二、第三、第四沟槽,接着在所述第一、第二、第三、第四沟槽中分别形成第一、第二、第三、第四盲孔,其中,所述第一盲孔的深度小于所述第二盲孔的深度,所述第二盲孔的深度小于所述第三盲孔的深度,所述第三盲孔的深度小于所述第四盲孔的深度。
步骤(3):提供第二载板,在所述第二载板上设置第二弹性粘结层,在所述第二弹性粘结层上设置第五芯片、第六芯片、第七芯片和第八芯片,所述第五、第六、第七、第八芯片的有源面朝向所述第二弹性粘结层,所述第五、第六、第七、第八芯片各自的一部分均嵌入到所述第二弹性粘结层中,其中,所述第五芯片的厚度小于所述第六芯片的厚度,所述第六芯片的厚度小于所述第七芯片的厚度,所述第七芯片的厚度小于所述第八芯片的厚度。
步骤(4):接着在所述第五、第六、第七、第八芯片各自的背面分别形成第一、第二、第三、第四凸起,所述第一凸起的高度小于所述第二凸起的高度,所述第二凸起的高度小于所述第三凸起的高度,所述第三凸起的高度小于所述第四凸起的高度。
步骤(5):在所述第一凸起的侧表面形成贯穿所述第一凸起的穿孔,在所述第二凸起的侧表面形成贯穿所述第二凸起的穿孔,在所述第三凸起的侧表面形成贯穿所述第三凸起的穿孔,在所述第四凸起的侧表面形成贯穿所述第四凸起的穿孔。
步骤(6):接着在所述第一、第二、第三、第四沟槽中以及所述第一、第二、第三、第四盲孔中设置粘结材料,进而将所述第五、第六、第七、第八芯片分别对应设置在所述第一、第二、第三、第四沟槽中,并使得所述第一、第二、第三、第四凸起分别嵌入到相应的所述第一、第二、第三、第四盲孔中,并使得各盲孔中的粘结材料的一部分嵌入到各凸起的各穿孔中。
步骤(7):接着去除所述第二载板,接着在所述第一载板上形成有机封装层,所述有机封装层包裹各芯片。
步骤(8):接着在所述有机封装层的上表面形成第一布线层,接着去除所述第一载板,接着在所述有机封装层的下表面形成第二布线层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造