[发明专利]一种低开启电压的超结RB-IGBT器件

权利要求书

1.一种低开启电压的超结RB-IGBT器件，其特征在于，包括：

金属化集电极层(1)；

重掺杂多晶硅(31)，所述重掺杂多晶硅(31)设置于金属化集电极层(1)的上方；

氧化层(32)，所述氧化层(32)设置于掺杂多晶硅(31)的上方；

P型集电区(2)，所述P型集电区(2)关于金属化集电极层(1)对称设置有两个P型集电区(2)，P型集电区(2)与金属化集电极层(1)相邻设置；

每个所述P型集电区(2)相邻设置有N型重掺杂区(3)，每个N型重掺杂区(3)之间间隔设置；

每个所述P型集电区(2)与N型重掺杂区(3)的上方设置有P型埋层(4)。

2.如权利要求1所述的一种低开启电压的超结RB-IGBT器件，其特征在于，所述P型埋层(4)相邻设置有N型漂移区(5)，所述N型漂移区(5)中对称设置有P柱(6)。

3.如权利要求2所述的一种低开启电压的超结RB-IGBT器件，其特征在于，所述N型漂移区(5)的上方设置有N型外延层(7)，所述N型外延层(7)中通过反应离子刻蚀形成有槽栅(8)。

4.如权利要求3所述的一种低开启电压的超结RB-IGBT器件，其特征在于，所述槽栅(8)表面通过热生长形成有栅氧化层(9)，且槽栅(8)内淀积有重掺杂多晶硅形成的栅极(10)，位于槽栅(8)的两侧通过自对准工艺离子注入高温退火形成的P型体区(11)。

5.如权利要求3所述的一种低开启电压的超结RB-IGBT器件，其特征在于，所述槽栅(8)的顶部两侧设置有重掺杂N型发射区(12)，且所述N型外延层(7)相邻的一侧设置有硼磷硅玻璃(13)，所述硼磷硅玻璃(13)的上方设置有上表面金属化发射极(14)。

6.如权利要求1所述的一种低开启电压的超结RB-IGBT器件，其特征在于，所述P型埋层(4)的掺杂浓度与宽度和P型埋层4之间的间距根据器件击穿电压、漏电水平和要求的开启电压决定。

7.如权利要求1所述的一种低开启电压的超结RB-IGBT器件，其特征在于，所述P型埋层(4)与P柱(6)不相连。

8.如权利要求2所述的一种低开启电压的超结RB-IGBT器件，其特征在于，所述N型漂移区(5)中的P柱(6)与N型外延层(7)中的P型体区不相连。

9.如权利要求2所述的一种低开启电压的超结RB-IGBT器件，其特征在于，所述P柱(6)通过多次外延与离子注入技术、高温扩散工艺或者通过深槽刻蚀和填充工艺形成。