[发明专利]一种碳化硅MOSFET多管并联的控制方法及电路

权利要求书

1.一种碳化硅MOSFET多管并联的控制方法，其特征在于，包括：

101、对并联的碳化硅MOSFET多管的实时工作温度分别进行温度采样，得到各管对应的工作温度采样结果；

102、在器件温升安全工作范围内，根据温度采样结果，在最高温度和最低温度之间取值，设定为温度阈值，在不同的工作周期内，实时更新设定所述温度阈值；

103、若某个的碳化硅MOSFET单管的工作温度低于或等于所设定的温度阈值，则保持当前对相应的碳化硅MOSFET管的PWM驱动波形控制方式，使相应的碳化硅MOSFET管继续保持原本的工作状态；

104、若某个的碳化硅MOSFET单管的工作温度高于所设定的温度阈值，则对相应的碳化硅MOSFET管的PWM驱动波形进行调节，使其在开关频率不变的前提下，改变其驱动的波形，具体的为：采用间歇开关的方式，间歇式减少PWM驱动波形作用在碳化硅MOSFET管上的持续时间，实现碳化硅MOSFET管间歇性断开和导通，减少流经碳化硅MOSFET管电流的有效值，从而降低碳化硅MOSFET管的工作温度；

其中，针对某个单管采用间歇开关方式具体工作原理为：输出一组控制方波与该管的PWM驱动波形通过与门逻辑进行叠加，得到一组间歇式PWM驱动波形，实现碳化硅MOSFET管间歇性断开和导通。

2.应用权利要求1所述控制方法的电路，其特征在于：包括MCU控制芯片、PWM信号调理电路、信号调理电路、与门芯片、驱动功率放大电路、门极匹配阻抗网络、温度采样电路以及温度采样信号调理电路；

所述MCU控制芯片分别与PWM信号调理电路和信号调理电路连接，与门芯片的输出端依次通过驱动功率放大电路和门极匹配阻抗网络连接碳化硅MOSFET管的门极，与门芯片的数量、驱动功率放大电路的数量、门极匹配阻抗网络的数量都和碳化硅MOSFET管的数量相同，PWM信号调理电路和信号调理电路分别与各个与门芯片的输入端连接，温度采样电路的数量与碳化硅MOSFET管的数量相同，温度采样电路用于采集对应碳化硅MOSFET管的工作温度，温度采样电路与温度采样信号调理电路连接，温度采样信号调理电路与所述MCU控制芯片连接；

温度采样电路采集各个碳化硅MOSFET管的工作温度，由温度采样信号调理电路进行处理后，输出给MCU控制芯片，MCU控制芯片在器件温升安全工作范围内，根据获得的各个单管的最高温度和最低温度之间取值，实时更新设定控制温度阈值；

若某个的碳化硅MOSFET单管的工作温度低于或等于所述温度阈值，则MCU控制芯片控制PWM信号调理电路保持当前输出PWM波形，MCU控制芯片控制信号调理电路持续输出高电平，所述当前输出PWM波形和高电平经与门逻辑叠加后，保持输出当前输出PWM波形，经驱动功率放大电路、门极匹配阻抗网络后输出到相应的碳化硅MOSFET管的门极，使其继续保持原本的工作状态；

若某个的碳化硅MOSFET单管的工作温度高于所述温度阈值，则MCU控制芯片控制信号调理电路输出一组控制方波信号，该信号与当前PWM波形经与门芯片逻辑叠加后，生成间歇式PWM波形，经驱动功率放大电路、门极匹配阻抗网络后输出到相应的碳化硅MOSFET管的门极，使其间歇性断开和导通，降低碳化硅MOSFET管的工作温度。