[发明专利]一种多值存储器的校准电路、校准方法和编程方法

权利要求书

1.一种多值存储器的校准电路，其特征在于，所述校准电路包括多值存储器、参考可变电阻、灵敏放大器、编程开关、读开关、电流通路模块、逻辑控制模块和非易失性存储器，所述灵敏放大器包括第一输入端、第二输入端和输出端；

所述多值存储器的一端与所述编程开关连接，另一端与所述灵敏放大器的第一输入端连接，所述多值存储器的一端还与所述读开关连接；

所述编程开关与所述读开关并联，所述编程开关用于开启或关闭所述多值存储器和所述参考可变电阻的编程模式，所述读开关用于开启或关闭所述多值存储器和所述参考可变电阻的读模式；

所述参考可变电阻的一端与所述编程开关连接，另一端与所述灵敏放大器的第二输入端连接，所述参考可变电阻的一端还与所述读开关连接；

所述灵敏放大器的第一输入端和第二输入端分别与所述电流通路模块连接，所述电流通路模块用于控制和调节所述灵敏放大器的输入信号；

所述灵敏放大器的输出端与所述逻辑控制模块连接；

所述逻辑控制模块用于控制所述编程开关和所述读开关的开合状态；

所述逻辑控制模块与所述非易失性存储器连接，所述非易失性存储器用于存储校准结果。

2.如权利要求1所述的一种多值存储器的校准电路，其特征在于，所述多值存储器能够存储N位数据，所述N为大于或等于2的整数，所述多值存储器的阻值范围为R_L～R_H，所述多值存储器的阻值范围被均分为2^N-1个间隔，每个间隔的阻值为R_int，所述R_int＝(R_H-R_L)/(2^N-1)。

3.如权利要求2所述的一种多值存储器的校准电路，其特征在于，所述参考可变电阻的阻值范围为(R_L-R_int)～(R_H+R_int)，所述参考可变电阻的阻值范围被均分为(2^N-1)*(2^M-1)+2*(2^M-1)个间隔，所述M为大于或等于1的整数，每个间隔的阻值为R_{int_v}，所述R_{int_v}＝(R_H-R_L)/((2^N-1)*(2^M-1)+2*(2^M-1))。

4.如权利要求1所述的一种多值存储器的校准电路，其特征在于，所述逻辑控制模块中存储有预设的校准程序，所述预设的校准程序中包括编程使能信号，所述编程使能信号和所述灵敏放大器的输出信号分别输入同一个与逻辑模块中，所述与逻辑模块的输出信号用于控制所述编程开关的开合状态。

5.如权利要求1所述的一种多值存储器的校准电路，其特征在于，所述电流通路模块包括第一MOS管和第二MOS管；所述第一MOS管的栅极和所述第二MOS管的栅极用于输入预设的控制信号，所述第一MOS管的漏极与所述多值存储器的另一端连接，所述第一MOS管的源极与所述第二MOS管的源极连接，所述第二MOS管的漏极与所述参考可变电阻的另一端连接。