[发明专利]半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统

说明书

一种半导体器件，包括下部结构和堆叠结构，该堆叠结构具有交替堆叠在下部结构上的层间绝缘层和水平层。第一坝竖直结构穿透堆叠结构。第一坝竖直结构将堆叠结构划分为栅极堆叠区域和绝缘体堆叠区域。水平层包括栅极堆叠区域中的栅极水平层和绝缘体堆叠区域中的绝缘水平层。存储器竖直结构和支撑体竖直结构穿透栅极堆叠区域。分离结构穿透栅极堆叠区域。一个分离结构包括第一侧表面、不与第一侧表面垂直的第二侧表面、以及从第一侧表面延伸到第二侧表面的连接侧表面。连接侧表面高于栅极水平层的最上栅极水平层。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2020年9月8日向韩国知识产权局提交的、申请号为10-2020-0114687的韩国专利申请的优先权，其公开内容通过引用整体结合到本文中。

技术领域

本公开的示例实施例涉及一种半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统。

背景技术

需要一种用于在需要数据存储的电子系统中存储高容量数据的半导体器件。因此，已经研究了用于增加半导体器件的数据存储容量的措施。例如，作为一种用于增加半导体器件的数据存储容量的方法，已经提出了包括三维布置的存储单元而不是二维布置的存储单元的半导体器件。

发明内容

本公开的示例实施例提供一种提高集成密度和可靠性的半导体器件。

本公开的示例实施例提供了一种包括半导体器件的电子系统。

根据本公开的示例实施例，一种半导体器件，包括：下部结构，该下部结构包括外围电路；堆叠结构，该堆叠结构包括交替堆叠在下部结构上的层间绝缘层和水平层，其中堆叠结构被设置在存储器单元区域和与存储器单元区域相邻的阶梯区域中，并且堆叠结构在阶梯区域中具有阶梯形状；封盖绝缘结构，该封盖绝缘结构覆盖下部结构上的堆叠结构；第一坝竖直结构，该第一坝竖直结构在阶梯区域中穿透堆叠结构并且延伸到封盖绝缘结构中，其中第一坝竖直结构将堆叠结构划分为栅极堆叠区域和绝缘体堆叠区域，并且在水平层中，被设置在栅极堆叠区域中的水平层是栅极水平层，被设置在绝缘体堆叠区域中的水平层是绝缘水平层；存储器竖直结构，该存储器竖直结构在存储器单元区域中穿透栅极堆叠区域；支撑体竖直结构，该支撑体竖直结构在阶梯区域中穿透栅极堆叠区域并且延伸到封盖绝缘结构中；以及多个分离结构，该多个分离结构穿透栅极堆叠区域并且延伸到封盖绝缘结构中，其中分离结构中的至少一个包括：第一侧表面、不与第一侧表面垂直对齐的第二侧表面、以及从第一侧表面延伸到第二侧表面的连接侧表面，以及其中分离结构的至少一个连接侧表面被设置在比堆叠结构的栅极水平层的最上栅极水平层的水平高的水平上。