[发明专利]用于氮化镓装置的过电压保护和短路承受

权利要求书

1.一种电路装置，其包括：

电源开关，其具有第一电流端子，第二电流端子及控制端子；及

驱动器电路，其耦合至所述电源开关的所述控制端子，且经配置以：

将所述第二电流端子偏置在第一电压；

当检测到过电压条件时，将所述第二电流端子偏置在第二电压，其中所述第二电压低于所述第一电压；且

基于驱动器输入信号产生用于传递到所述控制端子的控制信号，且所述控制信号与所述过电压条件无关。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述电源开关包括氮化镓晶体管，所述氮化镓晶体管具有作为所述第一电流端子的漏极端子，作为所述第二电流端子的源极端子，及作为所述控制端子的栅极端子。

3.根据权利要求1所述的装置，其中所述驱动器电路经配置以：

检测与所述第一电流端子相关联的所述过电压条件；

检测与所述第一电流端子相关联的过电流条件；以及

当检测到所述过电流条件时，将所述第二电流端子偏置在第三电压，其中所述第三电压低于所述第一电压。

4.根据权利要求3所述的装置，其中所述驱动器电路经配置以基于驱动器输入信号产生用于传递到所述控制端子的控制信号，且所述控制信号与所述过电压条件无关且与所述过电流条件无关。

5.根据权利要求1所述的装置，其进一步包括：

晶体管，其具有第一电流端子，第二电流端子及控制端子，

其中：

所述晶体管的所述第一电流端子耦合至所述电源开关的所述第二电流端子；

所述晶体管的所述第二电流端子耦合至接地端子；

所述驱动器电路耦合至所述晶体管的所述控制端子，所述驱动器电路经配置以当未检测到所述过电压条件时在线性模式操作所述晶体管，且所述驱动器电路经配置以当检测到所述过电压条件时在饱和模式操作所述晶体管。

6.根据权利要求5所述的装置，其中：

所述电源开关包括第一氮化镓晶体管，所述第一氮化镓晶体管具有作为所述第一电流端子的漏极端子，作为所述第二电流端子的源极端子，及作为所述控制端子的栅极端子；及

所述晶体管包括第二氮化镓晶体管，所述第二氮化镓晶体管具有作为所述第一电流端子的漏极端子，作为所述第二电流端子的源极端子，及作为所述控制端子的栅极端子。

7.根据权利要求6所述的装置，其中所述第一氮化镓晶体管及所述第二氮化镓晶体管以半桥式配置布置。

8.根据权利要求5所述的装置，其中所述晶体管包括硅MOSFET晶体管，所述硅MOSFET晶体管具有作为所述第一电流端子的漏极端子，作为所述第二电流端子的源极端子，及作为所述控制端子的栅极端子。

9.根据权利要求1所述的装置，其中所述驱动器电路包括过电压感测电路，所述过电压感测电路包括：

分压器，其具有耦合至所述电源开关的所述第一电流端子的第一节点，耦合至电压供应端子的第二节点，及位于所述第一节点及所述第二节点之间的第三节点；及

比较器，其具有耦合至参考电压节点的非反相输入，耦合至所述分压器的所述第三节点的反相输入，及经配置以当检测到所述过电压条件时产生过电压信号的输出。

10.一种电路装置，其包括：

电源开关，其具有第一电流端子，第二电流端子及控制端子；及

驱动器电路，其耦合至所述电源开关的所述控制端子，且经配置以：

将所述第二电流端子偏置以传导第一电流；且当检测到与所述第一电流端子相关联的过电压条件时，将所述第二电流端子偏置以传导第二电流，其中所述第二电流大于所述第一电流。

11.根据权利要求10所述的装置，其中所述电源开关包括氮化镓GaN晶体管，所述氮化镓晶体管具有作为所述第一电流端子的漏极端子，作为所述第二电流端子的源极端子，及作为所述控制端子的栅极端子。