[发明专利]图像传感器

权利要求书

1.一种图像传感器，其特征在于，包括衬底，所述衬底内具有感光区、浮动区以及设置在所述感光区与所述浮动区之间的传输区；

所述感光区包括N型掺杂区以及设置在所述N型掺杂区上的P型掺杂区；

所述传输区内设置有沟道层，所述沟道层的一侧与所述N型掺杂区电接触，所述沟道层的另一侧与所述浮动区电接触，且所述沟道层的顶面低于所述P型掺杂区的最高面。

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述沟道层的顶面与所述P型掺杂区的最高面的垂直距离，小于等于所述沟道层的顶面与所述N型掺杂区的底面的垂直距离。

3.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述P型掺杂区包括第一P型掺杂区以及与所述第一P型掺杂区连接的第二P型掺杂区；

所述第一P型掺杂区沿第一方向延伸，所述第二P型掺杂区的延伸方向与所述第一方向之间具有第一预设夹角，且所述第二P型掺杂区背离所述第一P型掺杂区的端部朝向所述衬底，所述第一P型掺杂区的顶面构成所述P型掺杂区的最高面；

所述第二P型掺杂区背离所述第一P型掺杂区的端部与所述沟道层间隔设置。

4.根据权利要求3所述的图像传感器，其特征在于，所述P型掺杂区还包括与所述第一P型掺杂区连接的第三P型掺杂区，所述第三P型掺杂区包括延伸至所述衬底内的U型结构。

5.根据权利要求1-4任一项所述的图像传感器，其特征在于，所述N型掺杂区包括延伸部，所述延伸部沿第一方向延伸至所述传输区的下方；沿第二方向，所述延伸部的顶面与所述沟道层间隔设置，所述第一方向与所述第二方向相互垂直。

6.根据权利要求1-4任一项所述的图像传感器，其特征在于，沿第一方向，所述N型掺杂区中离子浓度从背离所述沟道层的一侧，向靠近所述沟道层的一侧逐渐增加。

7.根据权利要求6所述的图像传感器，其特征在于，沿第二方向，所述N型掺杂区中离子浓度从背离所述P型掺杂区的一侧，向靠近所述P型掺杂区的一侧逐渐增加，所述第二方向与所述第一方向相互垂直。

8.根据权利要求7所述的图像传感器，其特征在于，所述P型掺杂区中离子浓度从背离所述沟道层的一侧，向靠近所述沟道层的一侧逐渐增加。

9.根据权利要求1-4任一项所述的图像传感器，其特征在于，所述沟道层的延伸方向与第一方向之间具有第二预设夹角，且所述沟道层与所述浮动区连接的一端背离所述衬底。

10.根据权利要求9所述的图像传感器，其特征在于，所述沟道层靠近所述N型掺杂区的端部与所述N型掺杂区贴合设置。

11.根据权利要求9所述的图像传感器，其特征在于，所述P型掺杂区靠近所述传输区的端部延伸至所述沟道层内，并与所述沟道层具有第一交叠区域；

所述N型掺杂区靠近所述传输区的部分端部延伸至所述沟道层内，并与所述沟道层具有第二交叠区域；

沿所述第一方向，所述第二交叠区域的长度小于所述第一交叠区域的长度。

12.根据权利要求1-4任一项所述的图像传感器，其特征在于，所述传输区还设置有栅氧化层和栅极，所述栅氧化层设置在所述沟道层上，所述栅极设置在所述栅氧化层背离所述沟道层的表面上。

13.一种图像传感器，其特征在于，包括衬底，所述衬底内具有感光区、传输区以及浮动区；

所述感光区包括N型掺杂区以及设置在所述N型掺杂区上的P型掺杂区；

所述传输区内设置有沟道层，所述沟道层的一侧与所述N型掺杂区电接触，所述沟道层的另一侧与所述浮动区电接触，且所述沟道层的顶面与所述P型掺杂区的顶面平齐，所述沟道层的底面与所述N型掺杂区的底面平齐或者所述沟道层的底面低于所述N型掺杂区的底面。