[发明专利]一种可控制偏置电路及功率放大器在审
申请号: | 202111048826.1 | 申请日: | 2021-09-08 |
公开(公告)号: | CN113612458A | 公开(公告)日: | 2021-11-05 |
发明(设计)人: | 张海涛;张泽洲;许育森;谢善谊;刘雨非 | 申请(专利权)人: | 深圳芯佰特微电子有限公司 |
主分类号: | H03F3/21 | 分类号: | H03F3/21;H03F3/19;H03F1/02 |
代理公司: | 深圳市华盛智荟知识产权代理事务所(普通合伙) 44604 | 代理人: | 胡国英 |
地址: | 518000 广东省深圳市龙华区大浪街道横朗*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 控制 偏置 电路 功率放大器 | ||
1.一种可控制偏置电路,其特征在于,包括逻辑控制模块、输出电压控制模块、输出稳压模块和射频偏置输出模块,其中,所述逻辑控制模块与逻辑控制输入信号源连接,提供可控的逻辑控制信号;所述输出电压控制模块与所述逻辑控制模块连接,根据所述的逻辑控制信号,调整所述输出电压控制模块输出控制电压;所述射频偏置输出模块与所述输出电压控制模块连接,受控于所述控制电压以输出射频偏置电压;所述输出稳压模块与所述射频偏置输出模块连接,用于稳定射频偏置电压。
2.根据权利要求1所述的可控制偏置电路,其特征在于,所述逻辑控制模块包括第一控制晶体管和第一阻抗单元,所述第一控制晶体管的第一端与逻辑控制输入信号源连接,所述第一控制晶体管的第二端与所述第一阻抗单元的第一端连接,所述第一控制晶体管的第三端接地。
3.根据权利要求2所述的可控制偏置电路,其特征在于,所述输出电压控制模块包括基准电压源,所述基准电压源与所述第一阻抗单元的第二端连接。
4.根据权利要求3所述的可控制偏置电路,其特征在于,所述输出电压控制模块还包括第二阻抗单元,所述第二阻抗单元的第一端与基准电压源连接,所述第二阻抗单元的第二端与所述第一阻抗单元的第二端连接。
5.根据权利要求4所述的可控制偏置电路,其特征在于,所述射频偏置输出模块包括第三控制晶体管,所述第三控制晶体管的第一端与所述第一阻抗单元的第二端连接,所述第三控制晶体管的第二端与供电电压源连接,所述第三控制晶体管的第三端输出射频偏置电压。
6.根据权利要求5所述的可控制偏置电路,其特征在于,所述射频偏置输出模块还包括第三阻抗单元,所述第三阻抗单元的第一端与供电电压源连接,所述第三阻抗单元的第二端与所述第三控制晶体管的第二端连接。
7.根据权利要求6所述的可控制偏置电路,其特征在于,所述输出稳压模块包括第二控制晶体管和第四阻抗单元,所述第二控制晶体管的第一端和第二端相连后与所述第四阻抗单元的第一端连接,所述第四阻抗单元的第二端与所述第三控制晶体管的第三端连接,所述第二控制晶体管的第三端接地。
8.根据权利要求7所述的可控制偏置电路,其特征在于,所述第一阻抗单元、所述第二阻抗单元、所述第三阻抗单元和所述第四阻抗单元均包括至少一个串联和/或并联的电阻,其中,所述第一阻抗单元和所述第四阻抗单元的阻值范围均0Ω;所述第二阻抗单元和第三阻抗单元的阻值范围为≥0Ω。
9.根据权利要求7所述的可控制偏置电路,其特征在于,所述第一控制晶体管、所述第二控制晶体管和所述第三控制晶体管包括采用三极管或场效应管中任一种,其中,所述场效应管包括结型场效应和MOS管;三极管包括NPN三极管和PNP三极管。
10.一种功率放大器,其特征在于,还包括主控模块和功率放大器模块,所述主控模块产生所述逻辑控制输入信号源,改变如权利要求1至9中任一项的所述可控制偏置电路,从而使所述功率放大器模块工作在不同的状态,针对具体的应用环境,调节射频信号,匹配最佳的工作状态。
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