[发明专利]场限环结构的制备方法及系统在审
申请号: | 202111050598.1 | 申请日: | 2021-09-08 |
公开(公告)号: | CN113903667A | 公开(公告)日: | 2022-01-07 |
发明(设计)人: | 车鑫川;张洁;刘东栋 | 申请(专利权)人: | 上海先进半导体制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336;H01L29/06;G06F30/20 |
代理公司: | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人: | 杨东明;罗朗 |
地址: | 200233 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 场限环 结构 制备 方法 系统 | ||
1.一种场限环结构的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:
预设环推进信息表,所述环推进信息表存储有制备场限环结构的高温炉管的环推进信息与应用场景的映射表,所述环推进信息包括环推进温度和环推进时长,所述应用场景包括应用设备和应用环境;
获取当前场限环结构的当前应用场景;
根据所述环推进信息表获取与所述当前应用场景对应的当前环推进信息;
在所述当前场限环结构的环推进阶段基于所述当前环推进信息进行制备。
2.如权利要求1所述的场限环结构的制备方法,其特征在于,所述预设环推进信息表的步骤具体包括:
选取任意目标应用场景,所述目标应用场景包括目标应用设备和目标应用环境;
获取在所述目标应用环境下所述目标应用设备的期望击穿电压限值;
设定多个目标推进温度和多个目标推进时长;
仿真得到不同目标推进温度和不同目标推进时长的条件下,所述目标应用设备的场限环结构的实际击穿电压限值;
选取满足预设条件的实际击穿电压限值对应的推进温度和推进时长;
根据所述对应的推进温度和推进时长构建所述环推进信息表。
3.如权利要求2所述的场限环结构的制备方法,其特征在于,所述预设条件包括:
不小于所述期望击穿电压限值且与所述期望击穿电压限值的差值最小。
4.如权利要求2所述的场限环结构的制备方法,其特征在于,所述预设条件包括:
不小于所述期望击穿电压限值且所述对应的推进温度与所述场限环结构的耐压温度的差值在预设温度范围内。
5.如权利要求2所述的场限环结构的制备方法,其特征在于,所述预设条件包括:
不小于所述期望击穿电压限值且所述实际击穿电压限值的衰减值在预设电压范围内。
6.一种场限环结构的制备系统,其特征在于,所述制备系统包括:
预设模块,用于预设环推进信息表,所述环推进信息表存储有制备场限环结构的高温炉管的环推进信息与应用场景的映射表,所述环推进信息包括环推进温度和环推进时长,所述应用场景包括应用设备和应用环境;
当前应用场景获取模块,用于获取当前场限环结构的当前应用场景;
当前环推进信息获取模块,用于根据所述环推进信息表获取与所述当前应用场景对应的当前环推进信息;
制备模块,用于在所述当前场限环结构的环推进阶段基于所述当前环推进信息进行制备。
7.如权利要求6所述的场限环结构的制备系统,其特征在于,所述预设模块包括:
应用场景选取单元,用于选取任意目标应用场景,所述目标应用场景包括目标应用设备和目标应用环境;
期望击穿电压限值获取单元,用于获取在所述目标应用环境下所述目标应用设备的期望击穿电压限值;
设定单元,用于设定多个目标推进温度和多个目标推进时长;
仿真单元,用于仿真得到不同目标推进温度和不同目标推进时长的条件下,所述目标应用设备的场限环结构的实际击穿电压限值;
推进信息选取单元,用于选取满足预设条件的实际击穿电压限值对应的推进温度和推进时长;
构建单元,用于根据所述对应的推进温度和推进时长构建所述环推进信息表。
8.如权利要求7所述的场限环结构的制备系统,其特征在于,所述预设条件包括:
不小于所述期望击穿电压限值且与所述期望击穿电压限值的差值最小。
9.如权利要求7所述的场限环结构的制备系统,其特征在于,所述预设条件包括:
不小于所述期望击穿电压限值且所述对应的推进温度与所述场限环结构的耐压温度的差值在预设温度范围内。
10.如权利要求7所述的场限环结构的制备系统,其特征在于,所述预设条件包括:
不小于所述期望击穿电压限值且所述实际击穿电压限值的衰减值在预设电压范围内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造