[发明专利]一种基于导模法的β-Ga2

权利要求书

1.一种基于导模法的β-Ga₂O₃单晶生长方法，其特征在于，包括：

提供板状籽晶，所述板状籽晶的X射线衍射摇摆曲线峰的半高全宽小于100弧秒；

使所述板状籽晶与模具缝上的氧化镓熔体接触；

提拉所述板状籽晶使β-Ga₂O₃单晶生长。

2.根据权利要求1所述基于导模法的β-Ga₂O₃单晶生长方法，其特征在于，所述板状籽晶的X射线衍射摇摆曲线峰的半高全宽小于50弧秒。

3.根据权利要求1-2任一所述基于导模法的β-Ga₂O₃单晶生长方法，其特征在于，提拉所述板状籽晶使β-Ga₂O₃单晶生长的步骤中：所述板状籽晶沿b轴方向提拉，不进行宽度和厚度方向的放肩。

4.根据权利要求1-2任一所述基于导模法的β-Ga₂O₃单晶生长方法，其特征在于，所述板状籽晶的宽度大于生长的所述β-Ga₂O₃单晶的宽度，所述板状籽晶的厚度大于生长的所述β-Ga₂O₃单晶的厚度。

5.根据权利要求1-2任一所述基于导模法的β-Ga₂O₃单晶生长方法，其特征在于，所述板状籽晶的宽度大于所述模具缝的长度。

6.根据权利要求1-2任一所述基于导模法的β-Ga₂O₃单晶生长方法，其特征在于，所述板状籽晶的主面是(100)面，生长的β-Ga₂O₃单晶主面也是(100)面。

7.根据权利要求1-2任一所述基于导模法的β-Ga₂O₃单晶生长方法，其特征在于，所述板状籽晶的主面是(001)面，生长的β-Ga₂O₃单晶主面也是(001)面。