[发明专利]样品生长装置、样品生长方法及分子束外延系统

权利要求书

1.一种样品生长装置，其特征在于，所述装置包括：

真空腔室，以及，位于所述真空腔室内的旋转部分和倾斜调节部分；

所述旋转部分包括旋转台、旋转机构和承载于所述旋转机构上的基片，所述旋转机构设置于所述旋转台上且驱动所述基片绕所述旋转台周向公转，且所述旋转台可自转；

所述倾斜调节部分包括倾斜调节机构及与所述倾斜调节机构相连的分子束源炉，所述倾斜调节机构在所述基片公转的过程中调整所述分子束源炉的倾斜角度，使所述分子束源炉入射的分子束全覆盖住不同公转位置处的基片；

所述倾斜调节机构包括倾斜调节平台、弹性压缩件和调节组件，所述倾斜调节平台包括上压板，所述分子束源炉固定于所述上压板上，所述弹性压缩件与上压板的中部相连，所述调节组件与上压板的其中一端相连，所述调节组件通过对所述弹性压缩件压缩或拉伸，驱动所述上压板倾斜，倾斜的同时带动所述分子束源炉倾斜，改变所述分子束源炉的分子束的入射角度及范围；

以及，所述倾斜调节平台还包括位于上压板下方的底座，所述调节组件包括第二驱动电机、移动轴和移动槽，所述移动轴的一端穿过上压板与第二驱动电机相连，另一端伸入到所述移动槽内，所述移动槽形成于所述底座上，所述移动轴在所述第二驱动电机的驱动下沿所述移动槽移动，移动的同时带动所述上压板倾斜；

所述倾斜调节机构还包括倾斜定位组件，所述倾斜定位组件设置于所述上压板的另一端，用于对上压板的倾斜进行定位，其中，所述倾斜定位组件包括支矩杆和定位槽，所述支矩杆的一端与上压板固定，另一端为球形顶头，所述定位槽为形成于所述底座上的弧形槽，所述球形顶头位于弧形槽内且与弧形槽相切。

2.根据权利要求1所述的样品生长装置，其特征在于：所述旋转机构包括第一驱动电机、连杆、样品托和加热部，所述第一驱动电机通过连杆与所述样品托相连，所述基片承载于所述样品托上，所述加热部设置于所述样品托上，对样品托上的基片加热，所述第一驱动电机通过连杆驱动样品托带动基片绕旋转台的中心轴公转。

3.根据权利要求1所述的样品生长装置，其特征在于：所述上压板的倾斜角度与所述分子束源炉的倾斜角度相等。

4.根据权利要求1所述的样品生长装置，其特征在于：所述倾斜调节机构还包括预紧力提供件，所述弹性压缩件的两侧各设一所述预紧力提供件，且所述预紧力提供件位于上压板和底座之间。

5.根据权利要求1所述的样品生长装置，其特征在于：所述分子束源炉的倾斜角度的计算公式为：

；

其中，a为分子束源炉的倾斜角度，n为第二驱动电机的转速，p为移动轴的螺距，D为移动轴的中心轴与支矩杆的中心轴之间的距离，t为第二驱动电机转动的时间，n﹒t为第二驱动电机转动的圈数。

6.一种样品生长方法，其特征在于包括：采用权利要求1-5中任一项所述的样品生长装置在基板上生长薄膜，从而获得样品。

7.一种分子束外延系统，其特征在于包括权利要求1-5中任一项所述的样品生长装置。