[发明专利]一种接触孔及其形成方法在审
| 申请号： | 202111053105.X | 申请日： | 2021-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN113948454A | 公开（公告）日： | 2022-01-18 |
| 发明（设计）人： | 孙磊 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/48 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 接触 及其 形成 方法 | ||
1.一种接触孔形成方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一、提供衬底，所述衬底自下而上依次设有NiSi层、CESL层以及ILD层；
步骤二、在所述ILD层上形成介质层，所述介质层的刻蚀选择比高于所述ILD层；
步骤三、图案化所述介质层以形成接触孔，并且将所述NiSi层上表面暴露；
步骤四、去除所述接触孔中的刻蚀物；
步骤五、利用等离子体去除所述NiSi层上表面形成的自然氧化层；
步骤六、利用等离子体轰击所述接触孔顶部的所述ILD层顶角，形成具有圆角顶部的接触孔；
步骤七、形成覆盖所述接触孔和所述介质层上表面的TiN薄层。
2.根据权利要求1所述的接触孔形成方法，其特征在于，步骤一中所述ILD层的材料为四乙基原硅酸酯。
3.根据权利要求1所述的接触孔形成方法，其特征在于，步骤一中所述CESL层为氮化硅。
4.根据权利要求1所述的接触孔形成方法，其特征在于，步骤二中所述介质层包括氮化硅、氮氧化硅、碳氮化硅中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的接触孔形成方法，其特征在于，步骤五中所述自然氧化层是由于所述NiSi层上表面裸露在空气中，被空气氧化形成的。
6.根据权利要求1所述的接触孔形成方法，其特征在于，步骤四中采用湿法清洗工艺清洗所述衬底以去除所述接触孔中的刻蚀物。
7.根据权利要求1所述的接触孔形成方法，其特征在于，步骤五和步骤六中的所述等离子体为含有Ar的等离子体。
8.根据权利要求1所述的接触孔形成方法，其特征在于，步骤七中通过溅射沉积所述TiN薄层。
9.根据权利要求1所述的接触孔形成方法，其特征在于，该方法还包括步骤八：在所述接触孔中填充金属钨。
10.一种采用权利要求1至9中任一项接触孔形成方法形成的接触孔，其特征在于，包括：
衬底，位于所述衬底上的NiSi层，位于所述NiSi层上的CESL层，位于所述CESL层上的ILD层；
位于所述ILD层上方的介质层；
形成在所述介质层和所述ILD层中具有圆角顶部的接触孔；
覆盖所述接触孔和所述介质层上表面的TiN薄层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力集成电路制造有限公司，未经上海华力集成电路制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111053105.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：堆石坝内部变形测量机器人监测管道埋设方法
- 下一篇：一种美术颜料着色喷涂装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
