[发明专利]基于电容加载同轴谐振腔的OVH磁传感器腔体

权利要求书

1.一种基于电容加载同轴谐振腔的OVH磁传感器腔体，其特征在于，包括：腔体导体、加载电容、可调电容以及连接电容；

所述腔体导体为同心圆柱体，包括内导体和外导体两部分；

所述内导体为顶端封闭、底端不封闭的空心圆柱，所述外导体从低端至顶端设置有多个开孔，多个所述开孔将外导体分割为多个条状，多个所述条状在顶端均分成了四组，每相邻两组之间通过所述连接电容相连；

所述内导体和所述外导体在底端直接相连，形成短路；所述内导体和所述外导体在顶端通过所述加载电容相连，形成开路；

所述加载电容均匀安装在腔体顶端；

所述可调电容安置在所述内导体顶端的中心位置。

2.如权利要求1所述的基于电容加载同轴谐振腔的OVH磁传感器腔体，其特征在于，所述加载电容共有八个。

3.如权利要求1所述的基于电容加载同轴谐振腔的OVH磁传感器腔体，其特征在于，所述电容加载同轴谐振腔能够存储特定频率的电磁能量，在所述内导体的顶端添加频率满足腔体谐振点的射频激励信号，所述电容加载同轴谐振腔发生谐振并产生射频磁场，所述射频磁场呈圆环状均匀分布且都集中在所述电容加载同轴谐振腔的内部，当所述电容加载同轴谐振腔内放置装有自由基溶液的杜瓦瓶时，所述电容加载同轴谐振腔内产生的射频磁场能够实现对所述OVH磁传感器腔体内自由基溶液的有效激发。

4.如权利要求1所述的基于电容加载同轴谐振腔的OVH磁传感器腔体，其特征在于，所述OVH磁传感器腔体的谐振频率的调节通过改变所述加载电容和所述可调电容的容值来实现，所述OVH磁传感器腔体的等效电路为LC谐振电路，所述加载电容与所述腔体导体的等效电感并联后再与所述可调电容串联；所述OVH磁传感器腔体的谐振频率的值通过多个所述加载电容的总值与所述腔体导体的等效电感的并联确定，在谐振腔顶端的所述加载电容值确定后，通过改变所述可调电容的值实现腔体谐振频率的细调和微调，从而实现对多种激发频点不同的自由基溶液的激励。

5.如权利要求4所述的基于电容加载同轴谐振腔的OVH磁传感器腔体，其特征在于，所述腔体谐振频率的计算公式如下：

其中，f为OVH磁传感器腔体的谐振频率，L为腔体导体的等效电感，C为腔体顶端多个加载电容的总值，C1为可调电容的值。

6.如权利要求1所述的基于电容加载同轴谐振腔的OVH磁传感器腔体，其特征在于，所述腔体导体的长为120mm，所述内导体半径为10mm，所述外导体半径为30mm。

7.如权利要求1所述的基于电容加载同轴谐振腔的OVH磁传感器腔体，其特征在于，所述腔体导体采用银质材料实现腔体欧姆损耗的削减。