[发明专利]压电薄膜的形成方法及体声波谐振装置的形成方法

权利要求书

1.一种压电薄膜的形成方法，其特征在于，包括：

提供第一基底；

形成牺牲层，位于所述第一基底上；

形成压电层，位于所述牺牲层上；

采用激光照射所述第一基底，用于汽化所述牺牲层；

去除所述第一基底，形成压电薄膜。

2.如权利要求1所述的压电薄膜的形成方法，其特征在于，所述第一基底的材料包括以下之一：蓝宝石、氮化铝、氮化铝镓。

3.如权利要求1所述的压电薄膜的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的材料包括以下之一：氮化镓、氮化铝镓。

4.如权利要求1所述的压电薄膜的形成方法，其特征在于，所述压电层的材料包括以下之一：氮化铝、合金氮化铝。

5.如权利要求1所述的压电薄膜的形成方法，其特征在于，所述激光的波长范围包括：120纳米至387纳米。

6.如权利要求1所述的压电薄膜的形成方法，其特征在于，还包括：提供第二基底；连接所述第二基底和所述压电层，所述第一基底和所述第二基底位于所述压电层两侧。

7.如权利要求6所述的压电薄膜的形成方法，其特征在于，连接所述第二基底和所述压电层包括：形成连接层，位于所述第二基底和所述压电层之间，用于键合所述第二基底和所述压电层。

8.如权利要求1所述的压电薄膜的形成方法，其特征在于，所述压电薄膜包括多个晶粒，所述多个晶粒包括第一晶粒和第二晶粒，其中，所述第一晶粒和所述第二晶粒是所述多个晶粒中的任意两个晶粒；沿第一方向的第一坐标轴对应所述第一晶粒的高，沿第二方向的第二坐标轴对应所述第二晶粒的高，其中，所述第一方向和所述第二方向相同或相反。

9.如权利要求8所述的压电薄膜的形成方法，其特征在于，所述第一晶粒对应第一坐标系，所述第一坐标系包括所述第一坐标轴和沿第三方向的第三坐标轴；所述第二晶粒对应第二坐标系，所述第二坐标系包括所述第二坐标轴和沿第四方向的第四坐标轴。

10.如权利要求9所述的压电薄膜的形成方法，其特征在于，所述第一坐标系还包括沿第五方向的第五坐标轴，所述第二坐标系还包括沿第六方向的第六坐标轴。

11.如权利要求10所述的压电薄膜的形成方法，其特征在于，所述第三方向和所述第四方向相同或相反。

12.如权利要求1所述的压电薄膜的形成方法，其特征在于，所述压电薄膜包括多个晶粒，所述多个晶粒组成的晶体的摇摆曲线半峰宽低于2.5度。

13.一种体声波谐振装置的形成方法，其特征在于，包括：

形成第一部，所述形成第一部包括：提供第一基底；形成第一牺牲层，位于所述第一基底上；形成压电层，位于所述第一牺牲层上，所述压电层包括第一侧及所述第一侧相对的第二侧，所述第一基底和所述第一牺牲层位于所述第一侧；形成第一电极层，位于所述第二侧，位于所述压电层上；形成空腔预处理层，位于所述第二侧，位于所述压电层上，覆盖所述第一电极层；

形成第二部，所述形成第二部包括：提供第二基底；

连接所述第一部和所述第二部，所述第一基底和所述第二基底位于所述压电层两侧；

采用激光照射所述第一基底，用于汽化所述第一牺牲层；

去除所述第一基底；

形成第二电极层，位于所述第一侧，接触所述压电层；

基于所述空腔预处理层，形成空腔。

14.如权利要求13所述的体声波谐振装置的形成方法，其特征在于，所述第一基底的材料包括以下之一：蓝宝石、氮化铝、氮化铝镓。