[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202111054048.7 | 申请日： | 2015-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN113793872A | 公开（公告）日： | 2021-12-14 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;田中哲弘;下村明久;山根靖正;德丸亮;佐藤裕平;筒井一寻 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/51;H01L21/34;H01L21/02;C23C14/34;C23C14/08 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 姜冰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种显示装置，具有：
第一导电体；
所述第一导电体上的第一绝缘体和第二绝缘体；
所述第二绝缘体上的氧化物半导电体；
所述第二绝缘体上的第一电极；
所述第一电极上的第三绝缘体和第四绝缘体；
所述第四绝缘体上的第二导电体，
所述氧化物半导电体具有晶体管的沟道形成区域；
所述第一绝缘体和所述第二绝缘体具有用作所述晶体管的栅极绝缘体的区域；
所述第一导电体和所述第二导电体具有作为电容元件的一个电极的功能；
所述第一电极具有作为所述电容元件的另一个电极的功能；
所述第一电极具有经由所述第一绝缘体和所述第二绝缘体与所述第一导电体重叠的区域；
所述第一电极与所述第一导电体重叠的区域具有与所述第二导电体重叠的区域；
所述第一电极和所述第二导电体重叠的区域具有与所述第三绝缘体重叠的区域和与所述第三绝缘体不重叠的区域。
2.一种显示装置，具有：
第一导电体；
所述第一导电体上的第一绝缘体和第二绝缘体；
所述第二绝缘体上的氧化物半导电体；
所述第二绝缘体上的第一电极；
所述第一电极上的第三绝缘体和第四绝缘体；
所述第四绝缘体上的第二导电体；
所述氧化物半导电体具有晶体管的沟道形成区域；
所述第一绝缘体和所述第二绝缘体具有用作所述晶体管的栅极绝缘体的区域；
所述第一导电体和所述第二导电体具有作为电容元件的一个电极的功能；
所述第一电极具有作为所述电容元件的另一个电极的功能；
所述第一电极具有经由所述第一绝缘体和所述第二绝缘体与所述第一导电体重叠的区域；
所述第一电极与所述第一导电体重叠的区域具有与所述第二导电体重叠的区域；
在所述第一电极上，所述第三绝缘体具有开口；
在所述开口中，所述第一电极经由所述第四绝缘体与所述第二导电体重叠。
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