[发明专利]一种宽带热电子光探测器件及其制备方法

权利要求书

1.一种宽带热电子光探测器件，包括衬底，其特征在于：所述衬底表面依次设置有布拉格光栅、氮化钛薄膜层、金属氧化物层、透明电极和减反射层；布拉格光栅和氮化钛薄膜层用以形成塔姆等离激元增强氮化钛薄膜层光吸收率，氮化钛薄膜层和金属氧化物层形成肖特基势垒，金属氧化物层起着输运热电子的作用。

2. 根据权利要求1所述的宽带热电子光探测器件，其特征在于：所述金属氧化物层为二氧化钛薄膜、氧化锌薄膜或氧化锡薄膜；所述金属氧化物层厚度为5-50 nm。

3. 根据权利要求2所述的宽带热电子光探测器件，其特征在于：所述透明电极为铟锡氧化物、掺铝氧化锌或掺氟氧化锡；所述透明电极厚度为20-100 nm。

4. 根据权利要求3所述的宽带热电子光探测器件，其特征在于：所述减反射层为氟化镁、氟化锂或氮化硅；所述减反射层厚度为50-300 nm。

5. 根据权利要求4所述的宽带热电子光探测器件，其特征在于：所述布拉格光栅周期为3-8；所述布拉格光栅中心波长为900-1500 nm。

6. 根据权利要求5所述的宽带热电子光探测器件，其特征在于：所述氮化钛薄膜层厚度为5-30 nm。

7.根据权利要求6所述的宽带热电子光探测器件，其特征在于：所述衬底为玻璃、塑料、陶瓷或硅片。

8.一种权利要求1-7任一权利要求所述的宽带热电子光探测器件的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

S1、衬底表面处：对衬底表面进行清洗以保证衬底表面干净无杂质；

S2、布拉格光栅制备：使用磁控溅射法在衬底上交替在衬底上沉积低折射率和高折射率电介质作为布拉格光栅；

S3、氮化钛薄膜层制备：使用磁控溅射法在布拉格光栅上沉积氮化钛薄膜层；

S4、金属氧化物层制备：使用磁控溅射法在氮化钛薄膜层上沉积金属氧化物层；

S5、透明电极制备：使用磁控溅射法在氮化钛薄膜层上沉积透明电极；

S6、减反射层制备：使用磁控溅射法在透明电极上沉积减反射层。