[发明专利]用于等离子体设备的基座组件

权利要求书

1.一种用于反应器系统的基座组件，该基座组件包括：

主体，包括顶表面、侧表面和底表面，其中顶表面是衬底支撑表面；

嵌入主体内的加热器元件；

嵌入主体内的第一电极，其位于加热器元件和顶表面之间；以及

嵌入主体内的第二电极，其靠近侧表面和底表面中的至少一个。

2.根据权利要求1所述的基座组件，其中，所述第二电极是网状材料。

3.根据权利要求1所述的基座组件，其中，所述主体的块体材料包括陶瓷材料。

4.根据权利要求1所述的基座组件，其中，所述第二电极配置为电接地，以抑制所述侧表面和底表面中的至少一个周围的寄生等离子体，同时所述第一电极配置为在所述顶表面上方可操作地产生处理等离子体。

5.根据权利要求4所述的基座组件，其中，所述第二电极靠近所述底表面延伸，使得所述加热器元件设置在所述第一电极和第二电极之间。

6.一种包括电容耦合等离子体配置的反应器系统，该反应器系统包括：

基座组件，包括：

主体，包括顶表面、侧表面和底表面，其中顶表面是衬底支撑表面；

嵌入主体内的加热器元件；

嵌入主体内的第一电极，其位于加热器元件和顶表面之间；以及

嵌入主体内的第二电极，其靠近侧表面和底表面中的至少一个；

包括上部和下部的壳体，其中壳体限定室，基座组件设置在该室内，其中基座组件的主体通常将所述室分成上室和下室，上室限定在壳体的上部和基座组件的主体的顶表面之间，下室限定在基座组件的主体的底表面和壳体的下部之间；以及

第三电极，其设置在基座组件的主体的顶表面上方。

7.根据权利要求6所述的反应器系统，还包括以RF功率电耦合的RF发生器，其向所述第一电极和第三电极中的一个提供通信，而第一电极和第三电极中的另一个电接地，从而在第一电极和第三电极之间可操作地产生电场，以在所述基座组件的主体的顶表面上方产生处理等离子体。

8.根据权利要求7所述的反应器系统，其中，所述第二电极电接地，以可操作地抑制所述侧表面和底表面中的至少一个周围的寄生等离子体。

9.根据权利要求8所述的反应器系统，其中，所述第二电极包括网状配置。

10.根据权利要求8所述的反应器系统，其中，所述第三电极与所述壳体的下部电绝缘。

11.根据权利要求8所述的反应器系统，其中：

所述RF发生器是第一RF发生器，所述反应器系统还包括第二RF发生器；

所述第一电极包括第一区域和第二区域；并且

第一RF发生器以RF功率电耦合，提供与第一区域的通信，第二RF发生器以RF功率单独电耦合，提供与第二区域的通信。

12.根据权利要求6所述的反应器系统，其中，所述第二电极靠近所述底表面延伸，使得所述加热器元件设置在所述第一电极和第二电极之间。

13.根据权利要求12所述的反应器系统，还包括以RF功率电耦合的RF发生器，其向所述第二电极提供通信，所述壳体的下部电接地，从而在第二电极和壳体的下部之间可操作地产生电场，以在所述基座组件的主体的底表面下方产生清洁等离子体。

14.根据权利要求8所述的反应器系统，其中：

所述RF发生器是第一RF发生器，所述反应器系统还包括第二RF发生器；

所述第二电极包括第一区域和第二区域；并且

第一RF发生器以RF功率电耦合，提供与第一区域的通信，第二RF发生器以RF功率单独电耦合，提供与第二区域的通信。