[发明专利]超高纯锗单晶籽晶的制备方法

权利要求书

1.一种超高纯锗单晶籽晶的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一，将单晶锗去头去尾取中间得到一个圆柱体，检测圆柱体两头的纯度和位错，纯度和位错较好的一头标为尾部，纯度和位错较差的标为头部；

步骤二，将圆柱体任一头固定在砧板上，将固定好的圆柱体和砧板一起放入切割机里；

步骤三，给切割机设置切割程序，对圆柱体切割；

步骤四，旋转圆柱体，重复步骤三中切割程序，得到长方条；

步骤五，将长方条放入滚磨机中，设置滚磨程序，滚磨后得到籽晶；

步骤六，将步骤五中的籽晶在千级或以上洁净房腐蚀，用高纯氮气吹干；

步骤七，用步骤六中吹干的籽晶，再提拉纯度高于步骤一中单晶锗的多晶锗料，提拉出单晶锗；

步骤八，用步骤七中得到的单晶锗重复步骤一～步骤六，得到单晶籽晶；

步骤九，用步骤八中得到的单晶籽晶，提拉纯度高于步骤七的超高纯多晶锗料，提拉出单晶锗；

步骤十，用步骤八中的单晶锗重复步骤一～步骤六，得到单晶籽晶；

步骤十一，用步骤十中得到的单晶籽晶，提拉纯度高于步骤九中的超高纯多晶锗料，提拉出单晶锗；

步骤十二，用步骤十一中的单晶锗重复步骤一～步骤六，得到超高纯锗单晶籽晶。

2.根据权利要求1所述的超高纯锗单晶籽晶的制备方法，其特征在于，步骤一中选用单晶锗尺寸为2寸～4寸。

3.根据权利要求1所述的超高纯锗单晶籽晶的制备方法，其特征在于，步骤一中得到圆柱体长度为110mm～120mm。

4.根据权利要求1所述的超高纯锗单晶籽晶的制备方法，其特征在于，步骤二中的砧板厚度为2cm～5cm。

5.根据权利要求1所述的超高纯锗单晶籽晶的制备方法，其特征在于，

在步骤三中，切割程序为使切割线沿圆柱体纵向切割，设置切割线沿z轴由111mm～121mm移动到0mm，速度4mm/min～6mm/min；再由0mm移动到111mm～121mm，速度50mm/min～60mm/min，再沿x轴移动15mm，速度50mm/min～60mm/min；重复2～6次。

6.根据权利要求5所述的超高纯锗单晶籽晶的制备方法，其特征在于，切割线直径为0.4mm～0.6mm。

7.根据权利要求1所述的超高纯锗单晶籽晶的制备方法，其特征在于，在步骤四中，圆柱体旋转角度为90°或270°。

8.根据权利要求1所述的超高纯锗单晶籽晶的制备方法，其特征在于，在步骤四中，长方条尺寸为15×15×110～120mm³，截面为15×15mm²。

9.根据权利要求1所述的超高纯锗单晶籽晶的制备方法，其特征在于，在步骤五中的滚磨程序为先将长方条滚成直径11.8mm～12.2mm的圆柱体，再将从头部起0mm～20mm滚成偏4°的圆台体，最后将20mm～110-121mm滚成直径9.0mm～9.4mm的圆柱体。

10.根据权利要求1所述的超高纯锗单晶籽晶的制备方法，其特征在于，在步骤六中，所用氮气浓度为9N。