[发明专利]显示面板及显示装置有效
申请号: | 202111055169.3 | 申请日: | 2021-09-09 |
公开(公告)号: | CN113724647B | 公开(公告)日: | 2022-08-05 |
发明(设计)人: | 李波;戴超 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | G09G3/32 | 分类号: | G09G3/32 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 杨瑞 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
第2N+1行像素电路,所述第2N+1行像素电路包括至少一个沿第一方向排列的第一像素电路,所述第一像素电路包括第一薄膜晶体管和第一发光器件,N为大于或者等于零的整数;
第2N+2行像素电路,所述第2N+2行像素电路包括至少一个沿所述第一方向排列的第二像素电路,所述第二像素电路包括第二薄膜晶体管和第二发光器件,所述第2N+1行像素电路、所述第2N+2行像素电路沿第二方向依次排列;以及
第一布线,与所述第一薄膜晶体管的源极/漏极中的一个、所述第二薄膜晶体管的源极/漏极中的一个电性连接,在所述第二方向上,所述第2N+1行像素电路的版图结构、所述第2N+2行像素电路的版图结构对称分布于所述第一布线的两侧;
其中,所述第一薄膜晶体管的源极/漏极中的另一个与所述第一发光器件的阳极电性连接,所述第二薄膜晶体管的源极/漏极中的另一个与所述第二发光器件的阳极电性连接,所述第一薄膜晶体管的沟道类型与所述第二薄膜晶体管的沟道类型相同。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一布线沿所述第一方向延伸;其中一个第一像素电路的版图结构与对应的一个第二像素电路的版图结构对称分布于所述第一布线的两侧。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括:
基板;
第一有源层,位于所述基板的一侧,所述第一有源层包括所述第一薄膜晶体管的源极/漏极中的一个、所述第二薄膜晶体管的源极/漏极中的一个以及所述第一布线;
其中,在所述第二方向上,所述第一薄膜晶体管的源极、所述第二薄膜晶体管的源极对称分布于所述第一布线的两侧,且所述第一薄膜晶体管的漏极、所述第二薄膜晶体管的漏极对称分布于所述第一布线的两侧。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第一薄膜晶体管的沟道材料与所述第二薄膜晶体管的沟道材料相同;且第一有源层的材料为多晶硅材料。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第二像素电路还包括第三薄膜晶体管和第一驱动晶体管,所述第三薄膜晶体管用于初始化所述第一驱动晶体管的栅极电位并防止所述第一驱动晶体管的栅极漏电流;
所述显示面板还包括:
第2N+3行像素电路,所述第2N+3行像素电路包括至少一个沿所述第一方向排列的第三像素电路,所述第三像素电路包括第四薄膜晶体管和第二驱动晶体管,所述第四薄膜晶体管用于初始化所述第二驱动晶体管的栅极电位并防止所述第二驱动晶体管的栅极漏电流,所述第2N+1行像素电路、所述第2N+2行像素电路以及所述第2N+3行像素电路沿第二方向依次排列;和
第二布线,与所述第三薄膜晶体管的源极/漏极中的一个、所述第四薄膜晶体管的源极/漏极中的一个以及所述第一布线电性连接,且在所述第二方向上,所述第三薄膜晶体管与所述第四薄膜晶体管分别位于所述第二布线的两侧;
其中,所述第三薄膜晶体管的沟道类型与所述第四薄膜晶体管的沟道类型相同。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括:
第二有源层,所述第二有源层包括所述第三薄膜晶体管的源极/漏极中的一个和所述第四薄膜晶体管的源极/漏极中的一个;和
第二金属层,所述第二金属层包括所述第二布线。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述第三薄膜晶体管的沟道类型与所述第四薄膜晶体管的沟道类型相同;所述第二有源层的材料为氧化物。
8.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,所述第二像素电路还包括第二驱动晶体管,所述第三像素电路还包括第三驱动晶体管;
所述第三薄膜晶体管的源极/漏极中的另一个与所述第二驱动晶体管的栅极电性连接;所述第四薄膜晶体管的源极/漏极中的另一个与所述第三驱动晶体管的栅极电性连接。
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