[发明专利]显示面板及显示装置有效

专利信息
申请号: 202111055169.3 申请日: 2021-09-09
公开(公告)号: CN113724647B 公开(公告)日: 2022-08-05
发明(设计)人: 李波;戴超 申请(专利权)人: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: G09G3/32 分类号: G09G3/32
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 杨瑞
地址: 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 显示 面板 显示装置
【权利要求书】:

1.一种显示面板,其特征在于,包括:

第2N+1行像素电路,所述第2N+1行像素电路包括至少一个沿第一方向排列的第一像素电路,所述第一像素电路包括第一薄膜晶体管和第一发光器件,N为大于或者等于零的整数;

第2N+2行像素电路,所述第2N+2行像素电路包括至少一个沿所述第一方向排列的第二像素电路,所述第二像素电路包括第二薄膜晶体管和第二发光器件,所述第2N+1行像素电路、所述第2N+2行像素电路沿第二方向依次排列;以及

第一布线,与所述第一薄膜晶体管的源极/漏极中的一个、所述第二薄膜晶体管的源极/漏极中的一个电性连接,在所述第二方向上,所述第2N+1行像素电路的版图结构、所述第2N+2行像素电路的版图结构对称分布于所述第一布线的两侧;

其中,所述第一薄膜晶体管的源极/漏极中的另一个与所述第一发光器件的阳极电性连接,所述第二薄膜晶体管的源极/漏极中的另一个与所述第二发光器件的阳极电性连接,所述第一薄膜晶体管的沟道类型与所述第二薄膜晶体管的沟道类型相同。

2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一布线沿所述第一方向延伸;其中一个第一像素电路的版图结构与对应的一个第二像素电路的版图结构对称分布于所述第一布线的两侧。

3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括:

基板;

第一有源层,位于所述基板的一侧,所述第一有源层包括所述第一薄膜晶体管的源极/漏极中的一个、所述第二薄膜晶体管的源极/漏极中的一个以及所述第一布线;

其中,在所述第二方向上,所述第一薄膜晶体管的源极、所述第二薄膜晶体管的源极对称分布于所述第一布线的两侧,且所述第一薄膜晶体管的漏极、所述第二薄膜晶体管的漏极对称分布于所述第一布线的两侧。

4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第一薄膜晶体管的沟道材料与所述第二薄膜晶体管的沟道材料相同;且第一有源层的材料为多晶硅材料。

5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第二像素电路还包括第三薄膜晶体管和第一驱动晶体管,所述第三薄膜晶体管用于初始化所述第一驱动晶体管的栅极电位并防止所述第一驱动晶体管的栅极漏电流;

所述显示面板还包括:

第2N+3行像素电路,所述第2N+3行像素电路包括至少一个沿所述第一方向排列的第三像素电路,所述第三像素电路包括第四薄膜晶体管和第二驱动晶体管,所述第四薄膜晶体管用于初始化所述第二驱动晶体管的栅极电位并防止所述第二驱动晶体管的栅极漏电流,所述第2N+1行像素电路、所述第2N+2行像素电路以及所述第2N+3行像素电路沿第二方向依次排列;和

第二布线,与所述第三薄膜晶体管的源极/漏极中的一个、所述第四薄膜晶体管的源极/漏极中的一个以及所述第一布线电性连接,且在所述第二方向上,所述第三薄膜晶体管与所述第四薄膜晶体管分别位于所述第二布线的两侧;

其中,所述第三薄膜晶体管的沟道类型与所述第四薄膜晶体管的沟道类型相同。

6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括:

第二有源层,所述第二有源层包括所述第三薄膜晶体管的源极/漏极中的一个和所述第四薄膜晶体管的源极/漏极中的一个;和

第二金属层,所述第二金属层包括所述第二布线。

7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述第三薄膜晶体管的沟道类型与所述第四薄膜晶体管的沟道类型相同;所述第二有源层的材料为氧化物。

8.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,所述第二像素电路还包括第二驱动晶体管,所述第三像素电路还包括第三驱动晶体管;

所述第三薄膜晶体管的源极/漏极中的另一个与所述第二驱动晶体管的栅极电性连接;所述第四薄膜晶体管的源极/漏极中的另一个与所述第三驱动晶体管的栅极电性连接。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电半导体显示技术有限公司,未经武汉华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111055169.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top