[发明专利]一种硅光微环波长标定和锁定控制方法

说明书

本发明公开了一种硅光微环波长标定和锁定控制方法，其标定和锁定方法包括以下步骤：S1、首先开机上电标定，首用16位的IDAC采样硅光芯片附近的3‰精度的热敏电阻的阻值，通过计算得出温度值，温度值的精度为0.001℃，通过PID公式计算，将需要调整IDAC的结果与前一次给定IDAC累加，再转化为控制GNA4008的0～2.5V电压信号，调整TEC的驱动电流，配合电源纹波小于50mV,整定合适的PID参数外加调整热敏电阻采样频率，可以实现控制硅光芯片的工作环境温度稳定在±0.005℃，当硅光芯片的工作环境温度稳定后，通过PC机将硅光微环控制设置为开环状态下工作，系统不会根据硅光芯片的通道出光功率值调节控制流过加热电阻的电流，对照OSA设备。

技术领域

本发明涉及光通信技术领域，具体为一种硅光微环波长标定和锁定控制方法。

背景技术

随着光通信领域技术的发展，硅光发展越来越快，应用越来越广，一种通过控制硅光的温度选择不同的波长输出得到应用，在硅光内部不能嵌入TEC控制温度，所以只能嵌入一颗电阻，通过调节过电阻的电流产生热量来调节温度，温度的变化对出光变化影响较大。

现有技术由于控制算法不完善而导致输出的光波动较大，对后面的调制器要求较高，从而导致生产较为困难，对调制器要求较高，选择新较强，合格率较低，从而浪费人工和物料成本。

发明内容

本发明的目的在于提供一种硅光微环波长标定和锁定控制方法，以解决上述背景技术中提出的现有技术由于控制算法不完善而导致输出的光波动较大，对后面的调制器要求较高，从而导致生产较为困难，对调制器要求较高，选择新较强，合格率较低，从而浪费人工和物料成本的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种硅光微环波长标定和锁定控制方法，其标定和锁定方法包括以下步骤：

S1、首先开机上电标定，首用16位的IDAC采样硅光芯片附近的3‰精度的热敏电阻的阻值，通过计算得出温度值，温度值的精度为0.001℃，通过PID公式计算，将需要调整IDAC的结果与前一次给定IDAC累加，再转化为控制GNA4008的0～2.5V电压信号，调整TEC的驱动电流，配合电源纹波小于50mV,整定合适的PID参数外加调整热敏电阻采样频率，可以实现控制硅光芯片的工作环境温度稳定在±0.005℃，当硅光芯片的工作环境温度稳定后，通过PC机将硅光微环控制设置为开环状态下工作，系统不会根据硅光芯片的通道出光功率值调节控制流过加热电阻的电流，对照OSA设备，手动修改LTC2662的IDAC输出流过加热电阻的电流，直到硅光芯片的通道输出对应的波长和最大光功率值为止，并记录下当前的IDAC值，或输出电流值和硅光芯片的通道出光功率值。

S2、其次将系统硅光微环控制改为闭环控制，根据硅光芯片的通道出光功率值控制IDAC输出流过加热电阻的电流，把将要锁定的硅光芯片的通道出光功率值目标值设置为想要的值，硅光微环闭环控制首先是通过IDAC输出电流从小到大进行一次扫描，记录下得到硅光芯片通道输出最大光时的IDAC或电流值合出光大小值，再将得到的两个值与之前标定的值对比，看是否接近，光变化小于3dBm，电流小于5毫安，如果两个参数都满足要求则开始锁定运行，此时为参数标定完成。

S3、然后系统重新加电，硅光微环闭环控制首先是通过IDAC输出电流从小到大进行一次扫描，MCU控制LTC2662将IDAC的值从零开始增加，为了加快锁定速度，在硅光芯片的通道出光功率值与目标光功率值差大于3dBm的时候将IDAC的增加步进设置较大，如每次增加10个单位，当输出的光进入目标值的±3dBm范围内后再将IDAC步进减小到2个单位，当输出的光进入目标值的±0.5dBm范围内后再将IDAC步进较小到1个单位，当输出的光进入目标值的±0.2dBm范围内后再将IDAC步进较小到0个单位，此时为锁定状态，此时的IDAC值为以后变化寻找的中心点。