[发明专利]用于制造微机电结构的方法和微机电结构在审
申请号: | 202111055409.X | 申请日: | 2021-09-09 |
公开(公告)号: | CN114229789A | 公开(公告)日: | 2022-03-25 |
发明(设计)人: | J·赖因穆特;R·博森德费尔 | 申请(专利权)人: | 罗伯特·博世有限公司 |
主分类号: | B81C1/00 | 分类号: | B81C1/00;B81B7/02 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 郭毅 |
地址: | 德国斯*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 制造 微机 结构 方法 | ||
1.一种用于制造微机电结构(4)的方法,所述方法具有以下步骤:
在衬底(30)上方形成至少一个第一绝缘层(31);
在所述第一绝缘层(31)上形成第一功能层(41),其中,所述第一功能层(41)设有在所述第一功能层(41)的整个厚度上延伸的槽口(18);
在所述第一功能层(41)上形成第二绝缘层(32);
在所述第二绝缘层(32)上方形成第二功能层(42),其中,所述第二功能层(42)设有在所述第二功能层(42)的整个厚度上延伸的槽口(26);
在所述第二功能层(42)上方形成第三绝缘层(33);
在所述第三绝缘层(33)上形成第三功能层(43),其中,所述第三功能层(43)的横向区域如此结构化成具有槽口(2),使得结构化的横向区域(25)限定可运动的结构(1),其中,所述第一、第二和第三绝缘层(31,32,33)以及所述第一和第二功能层(41,42)分别具有横向区域,所述横向区域布置在所述第三功能层(43)的结构化的横向区域(25)下方并且相应于所述结构化的横向区域(25)的垂直投影;
蚀刻所述第一、第二和第三绝缘层(31,32,33),其中,完全去除在所述第三绝缘层(33)的横向区域中的第三绝缘层(33)并且由此使所述可运动的结构(1)暴露,其中,至少部分地去除在所述横向区域中的第二绝缘层(32)并且从所述横向区域中至少部分地去除所述第三绝缘层(33);
其中,所述第一功能层(41)的布置在所述第一功能层(41)的横向区域中的所有槽口(18)通过窄的沟槽(18)形成,所述沟槽的宽度(22)小于所述第一与第三功能层(41,43)之间的垂直距离(15)的两倍,其中,所述第一功能层(41)如此形成,使得所述第一功能层在所述横向区域中具有至少一个电绝缘部段(19),所述电绝缘部段通过沟槽(18)与所述第一功能层(41)的剩余部分分开。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,在所述第一功能层(41)的横向区域中的沟槽(18)的宽度(22)大于所述第一功能层(41)的厚度的一半。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其中,所述第二功能层(42)如此形成,使得所述第二功能层具有至少一个第一和第二部段(20,20‘)并且这两个部段(20,20‘)彼此电绝缘,其中,所述第一功能层(41)如此形成,使得所述第一功能层具有第一和第二电绝缘部段(19、19‘),所述第一和第二电绝缘部段通过沟槽(18)彼此分开并且与所述第一功能层(41)的剩余部分分开,其中,所述第一功能层(41)的第一部段(19)布置在所述第二功能层(42)的第一部段(20)下方并且所述第一功能层(41)的第二部段(19‘)布置在所述第二功能层(42)的第二部段(20‘)下方。
4.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中,所述第一功能层(41)如此形成,使得所述第一功能层在所述横向区域中具有屏蔽部段(21),所述屏蔽部段通过沟槽(18)与所述第一功能层(41)的剩余部分分开,其中,所述屏蔽部段(21)布置在所述第二功能层(42)的槽口(26)下方并且与所述第二功能层(42)的至少一个部段(20)导电连接。
5.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中,所述第一功能层(41)如此形成,使得所述第一功能层在所述横向区域中具有第一和第二屏蔽部段(21,21‘),所述第一和第二屏蔽部段布置在所述第二功能层的槽口(26)下方的周围环境中,其中,所述第一屏蔽部段(21)与所述第二功能层(42)的第一部段(20)导电连接,并且所述第二屏蔽部段(20‘)与所述第二功能层(42)的第二部段(20‘)导电连接。
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