[发明专利]基于UCl3

权利要求书

1.一种基于UCl₃型晶格的框架导体制备方法，包括：

在惰性气氛下，将AX、MX₃、ZX₄原料粉末混合，得到混合粉末I；

在所述惰性气氛下，将所述混合粉末I进行固相球磨反应，得到化学式为A_xM_yZ_zX₃框架导体；或者

在惰性气氛下，将AX、MX₃、TX₅原料粉末混合，得到混合粉末II；

在所述惰性气氛下，将所述混合粉末II进行固相球磨反应，得到化学式为A_aM_bT_cX₃框架导体；

其中，

所述固相球磨反应的时间设定为6～20小时；转速设定为300～450转/分钟；

A包括Li⁺、Na⁺、K⁺、Ag⁺、Cu⁺离子中的一种；

M包括La³⁺、Ce³⁺、Pr³⁺、Nd³⁺、Sm³⁺、Eu³⁺、Gd³⁺、Tb³⁺离子中的一种或多种；

Z包括Zr⁴⁺、Hf⁴⁺离子中的一种或多种；

T包括Ta⁵⁺、Nb⁵⁺离子中的一种或多种；

X包括F^-、Cl^-、Br^-、I^-离子中的一种或多种；

x，y，z，a，b，c≥0；x+3y+4z＝3，a+3b+5c＝3。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述AX包括氯化锂、氯化钠、氯化银、氯化亚铜、溴化锂、溴化钠、溴化钾、溴化银、溴化亚铜中的一种；

所述MX₃包括氯化镧、氯化铈、氯化镨、氯化钕、氯化钐、氯化铕、氯化钆、氯化铽、溴化镧、溴化铈、溴化镨、溴化钕、溴化钐、溴化铕、溴化钆、溴化铽中的一种或多种；

所述ZX₄包括氯化锆、氯化铪、溴化锆、溴化铪中的一种或多种；

所述TX₅包括氯化钽、氯化铌、溴化钽、溴化铌中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的方法，所述在惰性气氛下，将AX、MX₃、ZX₄原料粉末混合，得到混合粉末I包括：

在所述惰性气氛下，将AX、MX₃、ZX₄按照所述框架导体A_xM_yZ_zX₃的化学式计量比混合，得到所述混合粉末I；

所述在惰性气氛下，将AX、MX₃、TX₅原料粉末混合，得到混合粉末II包括：

在所述惰性气氛下，将AX、MX₃、TX₅原料粉末按照所述框架导体A_aM_bT_cX₃的化学式计量比混合，得到所述混合粉末II。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述固相球磨反应中，所述混合粉末I或所述混合粉末II与球磨珠的质量比为1∶(20～30)。

5.根据权利要求1所述的方法，在所述将所述混合粉末I进行固相球磨反应之前或在所述将所述混合粉末II进行固相球磨反应之前，还包括：

将球磨罐和球磨珠依次采用去离子水和无水乙醇进行超声清洗，并在温度为60-100℃、真空度为-0.1～-0.05MPa的条件下烘干。