[发明专利]一种光场调控传感器及其使用方法

权利要求书

1.一种光场调控传感器，其特征在于，包括：玻璃棱镜(1)、光子晶体耦合层(2)和空气层；

所述玻璃棱镜(1)与光子晶体耦合层(2)的一面固定连接，玻璃棱镜(1)与光子晶体耦合层(2)间无空气；所述空气层位于光子晶体耦合层(2)的另一相对面。

2.根据权利要求1所述的光场调控传感器，其特征在于，所述光子晶体耦合层(2)包括依次固定连接的第一石墨烯层、第一二氧化钒层、第二石墨烯层、第二二氧化钒层、第三石墨烯层、第三二氧化钒层、第四石墨烯层、第四二氧化钒层、第五石墨烯层、第五二氧化钒层、第六石墨烯层、第六二氧化钒层、第七石墨烯层、第七二氧化钒层、第八石墨烯层、第八二氧化钒层、第九石墨烯层、第九二氧化钒层、第十石墨烯层和第十二氧化钒层；所述第一石墨烯层与玻璃棱镜(1)固定连接；所述第十二氧化钒层与空气层接触。

3.根据权利要求1所述的光场调控传感器，其特征在于，所述玻璃棱镜(1)的折射率为1.486，其形状为三棱柱，其材料为BK7玻璃。

4.根据权利要求2所述的光场调控传感器，其特征在于，所述第一石墨烯层、第二石墨烯层、第三石墨烯层、第四石墨烯层、第五石墨烯层、第六石墨烯层、第七石墨烯层、第八石墨烯层、第九石墨烯层和第十石墨烯层的厚度均为0.5nm。

5.根据权利要求2所述的光场调控传感器，其特征在于，所述第一二氧化钒层、第二二氧化钒层、第三二氧化钒层、第四二氧化钒层、第五二氧化钒层、第六二氧化钒层、第七二氧化钒层、第八二氧化钒层、第九二氧化钒层和第十二氧化钒层的厚度均为70mm。

6.一种如权利要求1～5任一所述的光场调控传感器的使用方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、采用水平偏振的高斯光束从空气射入玻璃棱镜(1)中，在玻璃棱镜(1)与光子晶体耦合层(2)的交界面处发生全反射，得到反射光束；

S2、在垂直于高斯光束入射面的方向，施加磁场，得到移动GH位移的反射光束，完成对光束的调控。

7.根据权利要求6所述的光场调控传感器的使用方法，其特征在于，所述步骤S1中高斯光束的频率为5THz。

8.根据权利要求6所述的光场调控传感器的使用方法，其特征在于，所述步骤S1中高斯光束从空气射入玻璃棱镜(1)中的入射角为42.3°。

9.根据权利要求6所述的光场调控传感器的使用方法，其特征在于，所述步骤S1中光子晶体耦合层(2)中所有石墨烯层的费米能级的为0.4eV。

10.根据权利要求6所述的光场调控传感器的使用方法，其特征在于，所述步骤S2中施加的磁场大小为14T。