[发明专利]一种CMP优化方法

权利要求书

1.一种CMP优化方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1.旋胶：在待CMP处理的样品表面旋涂电子胶；

S2.电子束曝光：处理好需要电子束曝光的版图后，对样品进行电子束曝光，显影后得到所需要的电子胶图层；所述的电子胶图层上具有延伸至样品层的凹槽，所述凹槽间隔设于目标凹陷旁；

S3.坚膜：将显影后的样品放到热板上，设置好温度后，利用热板对电子胶图层进行快速的热回流；

S4.反应离子刻蚀：将回流后的样品背面涂上真空脂后放置在载盘上，连同载盘一起放入到反应离子刻蚀机中，设置好刻蚀菜单后开始刻蚀，刻蚀完成后实现了凹槽从电子胶图层转移到样品层；

S5.去胶：将刻蚀后的样品放入反应离子刻蚀机中，设置好去胶菜单后，开始去胶，将样品剩余的电子胶图层去除；

S6.CMP：将上述去完电子胶图层的样品放入化学物理抛光机样品载盘凹槽中固定，按照设定的抛光条件进行抛光处理，抛光完后清洗样品。

2.根据权利要求1所述的CMP优化方法，其特征在于，所述的步骤S2包括：

S21.将旋涂电子胶的样品固定在电子束曝光的样品台上，通过测距仪辅助，调节样品台高度，使得样品在样品台呈水平状态，并通过坐标计记录样品在样品台的位置坐标；然后将所述样品台放入电子束曝光送样腔；

S22.通过Beamer及电子束曝光控制软件将所需要曝光的版图进行处理，其中，所述版图最终目标效果为在样品层目标凹陷的两侧刻蚀出凹槽；之后，得到电子束曝光仪器控制的job文件；同时在文件中输入步骤S21中记录的样品位置坐标；然后将样品台由送样腔送入到直写腔中；待送入完成后开始电子束曝光；

S23.曝光完成之后，将样品从样品台上取下，并用对应的显影液处理样品，得到所需要的电子胶图层。

3.根据权利要求1所述的CMP优化方法，其特征在于，所述的待CMP处理的样品为通过大马士革工艺加工得到的波导结构。

4.根据权利要求1所述的CMP优化方法，其特征在于，所述的电子胶图层上的凹槽位于目标凹陷的两侧，或围绕目标凹陷形成环形凹槽。

5.根据权利要求1所述的CMP优化方法，其特征在于，所述的样品由下至上依次包括硅基底层、二氧化硅层、氮化硅层；所述氮化硅层为待CMP抛光层。

6.根据权利要求1所述的CMP优化方法，其特征在于，所述的电子胶为正胶，型号为AR-P6200.13。

7.根据权利要求1所述的CMP优化方法，其特征在于，所述的电子胶图层的厚度为350nm～450nm。

8.根据权利要求1所述的CMP优化方法，其特征在于，对电子胶图层进行快速热回流的温度为80℃～300℃。

9.根据权利要求1所述的CMP优化方法，其特征在于，所述的抛光条件包括样品载盘转速、砂盘转速、压力、抛光液流速及抛光时间。

10.根据权利要求1所述的CMP优化方法，其特征在于，在步骤S6中，将样品依次放入丙酮、异丙醇、去离子水中依次超声一定时间，实现对样品的清洗。